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1N5623GP

产品描述1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-15
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小73KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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1N5623GP概述

1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-15

1N5623GP规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
元件数量1
最高工作温度175 °C
最大输出电流1 A
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向恢复时间0.5 µs
表面贴装NO
Base Number Matches1

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1N5615GP thru 1N5623GP
Vishay General Semiconductor
Glass Passivated Junction Fast Switching Rectifier
FEATURES
• Superectifier structure for high reliability condition
SUPERECTIFIER
®
• Cavity-free glass-passivated junction
• Fast switching for high efficiency
• Low leakage current
• High forward surge capability
• Meets environmental standard MIL-S-19500
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
DO-204AC (DO-15)
• AEC-Q101 qualified
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
t
rr
I
R
V
F
T
J
max.
1.0 A
200 V to 1000 V
50 A
150 ns, 250 ns, 300 ns, 500 ns
0.5 μA
1.2 V
175 °C
For use in fast switching rectification of power supply,
inverters, converters and freewheeling diodes for consumer,
automotive and telecommunication.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-204AC, molded epoxy over glass body
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade
Base P/NHE3 - RoHS compliant, AEC-Q101 qualified
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HE3 suffix
meets JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
Color band denotes cathode end
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375" (9.5 mm) lead length at T
A
= 55 °C
Peak forward surge current 8.3 ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Operating junction and
storage temperature range
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
T
J
, T
STG
1N5615GP
200
140
200
1N5617GP
400
280
400
1N5619GP
600
420
600
1.0
50
- 65 to + 175
1N5621GP
800
560
800
1N5623GP
1000
700
1000
UNIT
V
V
A
A
A
°C
Document Number: 88522
Revision: 15-Mar-11
For technical questions within your region, please contact one of the following:
www.vishay.com
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
1
This datasheet is subject to change without notice.
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000

1N5623GP相似产品对比

1N5623GP 1N5615GP 1N5617GP 1N5619GP MNAC104PJTDH8
描述 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-15 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC COMPOSITE OUTLINE ASSY
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 -
Reach Compliance Code unknown unknow unknow unknow -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 -
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE -
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE -
最大正向电压 (VF) 1.2 V 1.2 V 1.2 V 1.2 V -
元件数量 1 1 1 1 -
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C -
最大输出电流 1 A 1 A 1 A 1 A -
最大重复峰值反向电压 1000 V 200 V 400 V 600 V -
最大反向恢复时间 0.5 µs 0.15 µs 0.15 µs 0.25 µs -
表面贴装 NO NO NO NO -
厂商名称 - Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) -
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