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1N5407G

产品描述3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小81KB,共2页
制造商BILIN
官网地址http://www.galaxycn.com/
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1N5407G概述

3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

3 A, 800 V, 硅, 整流二极管

1N5407G规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述LEAD FREE, PLASTIC, CASE 267-05, 2 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状ROUND
包装尺寸LONG FORM
端子形式WIRE
端子涂层MATTE TIN
端子位置AXIAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE
壳体连接ISOLATED
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
应用GENERAL PURPOSE
相数1
最大重复峰值反向电压800 V
最大平均正向电流3 A
最大非重复峰值正向电流200 A

1N5407G相似产品对比

1N5407G 1N5404G 1N5405G 1N5406G 1N5408G
描述 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD RECTIFIER DIODE 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-27
状态 ACTIVE - - ACTIVE CONSULT MFR
二极管类型 RECTIFIER DIODE - - 整流二极管 整流二极管

 
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