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1N5403

产品描述3 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小529KB,共2页
制造商Chenda
官网地址http://www.szchenda.com
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1N5403概述

3 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

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1N5400 THRU 1N5408
GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts
DO-201AD
Forward Current - 3.0 Amperes
FEATURES
The plastic package carries Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
Construction utilizes void-free
molded plastic technique
Low reverse leakage
High forward surge current capability
High temperature soldering guaranteed:
250 C/10 seconds,0.375
(9.5mm) lead length,
5 lbs. (2.3kg) tension
1.0 (25.4)
MIN.
0.220 (5.6)
0.197(5.0)
DIA.
0.375(9.5)
0.285(7.2)
MECHANICAL DATA
1.0 (25.4)
MIN.
0.052 (1.3)
0.048 (1.2)
DIA.
Dimensions in inches and (millimeters)
Case:
JEDEC DO-201AD molded plastic body
Terminals:
Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity:
Color band denotes cathode end
Mounting Position:
Any
Weight:0.04
ounce, 1.10 grams
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
MDD Catalog Number
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375”(9.5mm) lead length at T
A
=75 C
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 3.0A
Maximum DC reverse current
T
A
=25 C
at rated DC blocking voltage
T
A
=100 C
Typical junction capacitance (NOTE 1)
Typical thermal resistance (NOTE 2)
Operating junction and storage temperature range
SYMBOLS
1N
1N
1N 1N
1N
1N 1N
1N
1N
5400 5401 5402 5403 5404 5405 5406 5407 5408
UNITS
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
50
35
50
100 200 300 400 500
70 140 210 280 350
100 200 300 400 500
3.0
600 800 1000 VOLTS
420 560 700 VOLTS
600 800 1000 VOLTS
Amps
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θ
JA
T
J
,
T
STG
150
1.2
5.0
100
30.0
20.0
-65 to +175
Amps
Volts
µ
A
pF
C/W
C
Note:1.Measured
at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
2.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375”(9.5mm)lead length,P.C.B. mounted

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描述 3 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD RECTIFIER DIODE,1KV V(RRM),DO-204AE
端子数量 - 2 2 2 2 - 2 - -
元件数量 - 1 1 1 1 - 1 - -
加工封装描述 - 塑料 PACKAGE-2 塑料 PACKAGE-2 塑料 PACKAGE-2 绿色, 塑料 PACKAGE-2 - 铅 FREE, 塑料, CASE 267-05, 2 PIN - -
状态 - ACTIVE ACTIVE DISCONTINUED ACTIVE - DISCONTINUED - CONSULT MFR
包装形状 - - - -
包装尺寸 - LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM - LONG FORM - -
端子形式 - 线 线 线 线 - 线 - -
端子涂层 - MATTE 锡 锡 铅 PURE 锡 - MATTE 锡 - -
端子位置 - AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL - AXIAL - -
包装材料 - 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 - 塑料/环氧树脂 - -
结构 - 单一的 单一的 单一的 单一的 - 单一的 - -
壳体连接 - 隔离 隔离 隔离 隔离 - 隔离 - -
二极管元件材料 - - - -
二极管类型 - 整流二极管 整流二极管 整流二极管 整流二极管 - 整流二极管 - 整流二极管
应用 - GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE EFFICIENCY - GENERAL PURPOSE - -
相数 - 1 1 1 1 - 1 - -
最大重复峰值反向电压 - 50 V 100 V 200 V 400 V - 600 V - -
最大平均正向电流 - 3 A 3 A 3 A 3 A - 3 A - -
最大非重复峰值正向电流 - 200 A 200 A 200 A 200 A - 200 A - -
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...
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