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1N5402G

产品描述3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小166KB,共2页
制造商LGE
官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html
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1N5402G概述

3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

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1N5400G-1N5408G
3.0 AMP. Glass Passivated Rectifiers
DO-201AD
Features
Glass passivated chip junction.
High efficiency, Low VF
High current capability
High reliability
High surge current capability
Low power loss
Mechanical Data
Cases: Molded plastic
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
Polarity: Color band denotes cathode
High temperature soldering guaranteed:
o
260 C /10 seconds/.375”,(9.5mm) lead
lengths at 5 lbs.,(2.3kg) tension
Weight: 1.2 grams
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Type Number
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified
Current .375”(9.5mm) Lead Length
@T
A
= 75
o
C
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single
Half Sine-wave Superimposed on Rated
Load (JEDEC method )
Maximum Instantaneous Forward Voltage
@3.0A
Maximum DC Reverse Current @ T
A
=25 C
at Rated DC Blocking Voltage @ T
A
=125
o
C
Typical Junction Capacitance ( Note 1 )
Typical Thermal Resistance ( Note 2 )
o
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
1N
1N
1N
1N
1N
1N
1N
5400G 5401G 5402G 5404G 5406G 5407G 5408G
Units
V
V
V
A
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
3.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
125
1.1
1.0
5.0
100
25
45
- 65 to + 150
A
V
uA
uA
pF
o
C/W
o
C
Cj
R
θJA
Operating and Storage Temperature Range
T
J
,T
STG
1. Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 Volts D.C.
Notes:
2. Mount on Cu-Pad size 16mm x 16mm on P.C.B.
http://www.luguang.cn
mail:lge@luguang.cn

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