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1N5371B

产品描述60 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小309KB,共3页
制造商SEMTECH_ELEC
官网地址http://www.semtech.net.cn
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1N5371B概述

60 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

60 V, 5 W, 硅, 单向电压稳压二极管

1N5371B规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
额定工作电压60 V
状态DISCONTINUED
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子涂层锡 铅
端子位置AXIAL
包装材料塑料/环氧树脂
工艺ZENER
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
最大功耗极限5 W
极性单向
二极管类型稳压二极管
工作测试电流20 mA
最大总参考电压5 %

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1N5335B THRU 1N5388B
5 W SILICON ZENER DIODES
Features
• High peak reverse power dissipation
• High reliability
• Low leakage current
Descriptions
Standard case is DO-15, D2A case is available
upon request. For example: 1N5335B (D2A) means
the case in D2A.
Mechanical Data
• Epoxy: UL94V-0 rate flame retardant
• Lead: Axial lead solderable per MIL-STD-202,
method 208 guaranteed
• Polarity: Color band denotes cathode end
• Mounting position: Any
Absolute Maximum Ratings
(Rating at 25
O
C ambient temperature unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Value
Unit
DC Power Dissipation @ T
L
= 75
O
C
1)
1)
P
D
T
j
, T
S
5
- 65 to + 200
W
O
Junction and Storage Temperature Range
C
T
L
= Lead temperature at 3/8" (9.5 mm) from body
Characteristics at T
a
= 25
O
C
Parameter
Forward Voltage
at I
F
= 1 A
Symbol
V
F
Max.
1.2
Unit
V
Electrical Characteristics
(Rating at 25
O
C ambient temperature unless otherwise specified)
Zener Voltage
1)
Type
1N5335B
1N5336B
1N5337B
1N5338B
1N5339B
1N5340B
1N5341B
V
Znom
V
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6
6.2
V
Z
(V)
Min.
Max.
3.71
4.09
4.09
4.51
4.47
4.93
4.85
5.35
5.32
5.88
5.7
6.3
5.89
6.51
at I
ZT
mA
320
290
260
240
220
200
200
Maximum Zener Impedance
Z
ZT
2
2
2
1.5
1
1
1
at I
ZT
mA
320
290
260
240
220
200
200
Z
ZK
500
500
450
400
400
300
200
at I
ZK
mA
1
1
1
1
1
1
1
Maximum Reverse
Leakage Current
I
R
at V
R
µA
V
50
1
10
1
5
1
1
1
1
2
1
3
1
3
Maximum DC
Zener Current
I
ZM
mA
1220
1100
1010
930
856
790
765
SEMTECH ELECTRONICS LTD.
(Subsidiary
of Sino-Tech International Holdings Limited, a company
listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)
®
Dated : 19/07/2008 E
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