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1N5349B

产品描述12 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小225KB,共5页
制造商BILIN
官网地址http://www.galaxycn.com/
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1N5349B概述

12 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

12 V, 5 W, 硅, 单向电压稳压二极管

1N5349B规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
额定工作电压12 V
加工封装描述HERMETIC SEALED, 塑料, CB417, 2 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态DISCONTINUED
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子涂层MATTE 锡
端子位置AXIAL
包装材料塑料/环氧树脂
工艺ZENER
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
最大功耗极限5 W
极性单向
二极管类型稳压二极管
工作测试电流100 mA
最大总参考电压5 %

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BL
FEATURES
power rating.
GALAXY ELECTRICAL
ZENER DIODES
1N5333B - - - 1N5388B
POWER DISSIPATION: 5.0 W
Silicon planar power zener diodes
For use in stabilizing and clipping curcuits with high
DO - 27
Standard zener voltage tolerance is ±10%. Add
suffix "B" for ±5% tolerance. other zener voltage
and tolerances are available upon request.
MECHANICAL DATA
Case:DO-27
Terminals: solderable per MIL-STD-202, method 208
Polarity: cathode Band
Marking: type number
Approx. weight: 1.15 grams.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
SYMBOL
Zener current (see Table "Characteristics")
DC pow er dissipation @ T
L
=75
, measure at zero lead length (Fig.1)
derate above 75 (NOTE 1)
Peak forw ard surge current 8.3ms single half sine-w ave superimposed on rated
load (JEDEC Method)(NOTE 1,2)
Junction temperature
VALUE
UNIT
P
D
I
FSM
T
J
T
s
5.0
40.0
see fig.5
-55---+150
-55---+150
W
mW
A
Storage temperature range
NOTES:
(1) Mounted on 8.0mm
2
copper pads to each terminal.
www.galaxycn.com
(2) 8.3ms single half sine-wav e, or equiv alent square wav e, duty cy cle=4 pulses per minute maximum.
Document Number 0284007
BL
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