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1N5264B

产品描述60 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小33KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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1N5264B概述

60 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

1N5264B规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码DO-35
包装说明GLASS, DO-35, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗170 Ω
JEDEC-95代码DO-204AH
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压60 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
最大电压容差5%
工作测试电流2.1 mA
Base Number Matches1

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1N5221B...1N5267B
Vishay Telefunken
Silicon Z–Diodes
Features
D
D
D
D
Very sharp reverse characteristic
Very high stability
Low reverse current level
V
Z
–tolerance
±
5%
Applications
94 9367
Voltage stabilization
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25
_
C
Parameter
Power dissipation
Z–current
Junction temperature
Storage temperature range
T
L
x
Test Conditions
75
°
C
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
200
–65...+200
Unit
mW
mA
°
C
°
C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25
_
C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
l=9.5mm (3/8”), T
L
=constant
Symbol
R
thJA
Value
300
Unit
K/W
Electrical Characteristics
T
j
= 25
_
C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.1
Unit
V
Document Number 85588
Rev. 2, 06-Aug-99
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
1 (4)

 
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