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1N5231BTR

产品描述5.1 V, 0.48 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小144KB,共4页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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1N5231BTR概述

5.1 V, 0.48 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH

5.1 V, 0.48 W, 硅, 单向电压稳压二极管, DO-204AH

1N5231BTR规格参数

参数名称属性值
Brand NameFairchild Semiconductor
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码DO-35
包装说明O-LALF-W2
针数2
制造商包装代码AXIAL LEADED; GLASS; JEDEC DO204 ; VARIATION AH
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Samacsys Confidence4
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID437967
Samacsys Pin Count2
Samacsys Part CategoryZener Diode
Samacsys Package CategoryDiodes, Axial Diameter Horizontal Mounting
Samacsys Footprint NameDO-35-ren2
Samacsys Released Date2017-10-17 20:11:30
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗17 Ω
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压5.1 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
工作测试电流20 mA
Base Number Matches1

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1N5221B - 1N5263B — Zener Diodes
July 2011
1N5221B - 1N5263B
Zener Diodes
Tolerance = 5%
DO-35 Glass case
COLOR BAND DENOTES CATHODE
Absolute Maximum Ratings
*
Symbol
P
D
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Parameter
Value
Units
mW
mW°C
°C
°C
°C
Power Dissipation
500
Derate above 50°C
4.0
Storage Temperature Range
-65 to +200
T
STG
T
J
Operating Junction Temperature Range
-65 to +200
Lead Temperature (1/16” from case for 10 seconds)
+230
* These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
** Non-recurrent square wave PW = 8.3ms, T
A
= 50 degrees C.
Electrical Characteristics
Device
1N5221B
1N5222B
1N5223B
1N5224B
1N5225B
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235B
1N5236B
1N5237B
1N5238B
1N5239B
1N5240B
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Z
Z
(Ω) @ I
Z
(mA)
30
30
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7.0
7.0
5.0
6.0
8.0
8.0
10
17
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
Z
ZK
(Ω) @ I
ZK
(mA)
1,200
1,250
1,300
1,400
1,600
1,600
1,700
1,900
2,000
1,900
1,600
1,600
1,600
1,000
750
500
500
600
600
600
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
I
R
(μA) @ V
R
(V)
100
100
75
75
50
25
15
10
5.0
2.0
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
T
C
(%/°C)
-0.085
-0.085
-0.080
-0.080
-0.075
-0.07
-0.065
-0.06
+/-0.055
+/-0.03
+/-0.03
0.038
0.038
0.045
0.05
0.058
0.062
0.065
0.068
0.075
www.fairchildsemi.com
1
V
Z
(V) @ I
Z
(Note 1)
Min.
Typ.
Max.
2.28
2.4
2.52
2.375
2.5
2.625
2.565
2.7
2.835
2.66
2.8
2.94
2.85
3
3.15
3.135
3.3
3.465
3.42
3.6
3.78
3.705
3.9
4.095
4.085
4.3
4.515
4.465
4.7
4.935
4.845
5.1
5.355
5.32
5.6
5.88
5.7
6
6.3
5.89
6.2
6.51
6.46
6.8
7.14
7.125
7.5
7.875
7.79
8.2
8.61
8.265
8.7
9.135
8.645
9.1
9.555
9.5
10
10.5
© 2011 Fairchild Semiconductor Corporation
1N5221B - 1N5263B Rev. H3
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