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1N5222B

产品描述2.5 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小423KB,共3页
制造商WILLAS ELECTRONIC CORP.
官网地址http://www.willas.com.tw/
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1N5222B概述

2.5 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH

2.5 V, 0.5 W, 硅, 单向电压稳压二极管, DO-204AH

1N5222B规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
额定工作电压2.5 V
加工封装描述玻璃, DO-35, 2 PIN
状态TRANSFERRED
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子涂层锡 铅
端子位置AXIAL
包装材料玻璃
工艺ZENER
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
最大功耗极限0.5000 W
极性单向
二极管类型稳压二极管
工作测试电流20 mA
最大总参考电压5 %

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WILLAS
Silicon Z–Diodes
Features
D
D
D
D
Plannar Die constuction
500mW Power Dissipation
Ideally Suited for Automated Assembly Processes
V
Z
–tolerance
±
5%
1N5221B
THRU
1N5267B
Unit: inch (mm)
DO-35
.022(0.55)
.018(0.45)
1.02(26.0)
MIN.
.153(3.6)
.132(3.0)
Applications
Voltage stabilization
.087(2.2)
.067(1.7)
1.02(26.0)
MIN.
MECHANICAL DATA
Approx. Weight:
0.136 grams
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25
_
C
Parameter
Power dissipation
Z–current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
T
amb=25
°
C
Type
Symbol
P
TOT
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
175
–65...+175
Unit
mW
mA
°
C
°
C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25
_
C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
l=9.5mm (3/8”), T
L
=constant
Symbol
R
thJA
Value
300
Unit
K/W
Electrical Characteristics
T
j
= 25
_
C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.1
Unit
V
2010.06
WILLS ELECTRONIC CORP.
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