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1N5062GP

产品描述1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小73KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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1N5062GP概述

1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC

1N5062GP规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
最大重复峰值反向电压800 V
表面贴装NO
Base Number Matches1

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1N5059GP thru 1N5062GP
Vishay General Semiconductor
Glass Passivated Junction Rectifier
FEATURES
SUPERECTIFIER
®
• Superectifier
application
structure
for
high
reliability
• Cavity-free glass-passivated junction
• Low forward voltage drop
• Low leakage current
• High forward surge capability
• Meets environmental standard MIL-S-19500
DO-204AC (DO-15)
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
• AEC-Q101 qualified
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
I
R
V
F
T
J
max.
1.0 A
200 V to 800 V
50 A
5.0 μA
1.2 V
175 °C
For use in general purpose rectification of power supplies,
inverters, converters and freewheeling diodes application.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-204AC, molded epoxy over glass body
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade
Base P/NHE3 - RoHS compliant, AEC-Q101 qualified
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HE3 suffix
meets JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
Color band denotes cathode end
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375" (9.5 mm) lead length at T
A
= 75 °C
Peak forward surge current 8.3 ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Maximum full load reverse current, full cycle
average 0.375" (9.5 mm) lead length at
Operating junction and storage temperature range
Note
(1)
JEDEC registered values
T
A
= 25 °C
T
A
= 75 °C
SYMBOL 1N5059GP 1N5060GP 1N5061GP 1N5062GP
V
RRM (1)
V
RMS
V
DC (1)
I
F(AV) (1)
I
FSM (1)
I
R(AV) (1)
T
J
, T
STG
200
140
200
400
280
400
1.0
50
5.0
μA
150
- 65 to + 175
°C
600
420
600
800
560
800
UNIT
V
V
V
A
A
Document Number: 88513
Revision: 15-Mar-11
For technical questions within your region, please contact one of the following:
www.vishay.com
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
1
This datasheet is subject to change without notice.
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000

1N5062GP相似产品对比

1N5062GP 1N5059GP 1N5060GP FSHS10A12_15
描述 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC Schottky Barrier Diode
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 -
Reach Compliance Code unknown unknown unknown -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 -
Is Samacsys N N N -
配置 SINGLE SINGLE SINGLE -
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE -
最大正向电压 (VF) 1.2 V 1.2 V 1.2 V -
最大非重复峰值正向电流 50 A 50 A 50 A -
元件数量 1 1 1 -
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C -
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -
最大输出电流 1 A 1 A 1 A -
最大重复峰值反向电压 800 V 200 V 400 V -
表面贴装 NO NO NO -
Base Number Matches 1 1 1 -
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