1N5061: 产品描述1 A, SILICON, SIGNAL DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小57KB，共2页; 制造商Central Semiconductor

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1N5061概述

1 A, SILICON, SIGNAL DIODE

1N5061规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Central Semiconductor
包装说明	E-XALF-W2
针数	2
制造商包装代码	GPR-1A
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
应用	GENERAL PURPOSE
最小击穿电压	600 V
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.2 V
JESD-30 代码	E-XALF-W2
JESD-609代码	e0
最大非重复峰值正向电流	40 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	1 A
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	ELLIPTICAL
封装形式	LONG FORM
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	600 V
最大反向电流	5 µA
反向测试电压	600 V
表面贴装	NO
端子面层	TIN LEAD
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL

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1N5059 THRU 1N5062

GLASS PASSIVATED RECTIFIER

1.0 AMP, 200 THRU 800 VOLTS

Central

Semiconductor Corp.

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N5059

series types are silicon rectifiers manufactured in

a hermetically sealed glass passivated package

designed for general purpose applications where

high reliability is desired. Higher voltage devices

are available in the CPR1-010 series.

MARKING CODES: Full Part Number

GPR-1A CASE

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

SYMBOL

Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

RMS Voltage

Average Forward Current(TA=75°C)

Peak Forward Surge Current

VRRM

VRMS

1N5059

200

140

1N5060 1N5061 1N5062 UNITS

400

280

1.0

-65 to +175

600

420

800

560

°C

°C/W

(8.3ms single half sine-wave on rated load) IFSM

Operating and Storage

Junction Temperature

Thermal Resistance

TJ,Tstg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS:

(TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL TEST CONDITIONS

VR=Rated VRRM

VR=Rated VRRM, TA=175°C (1N5059, 1N5060)

VR=Rated VRRM, TA=175°C (1N5061, 1N5062)

IF=1.0A

VR =4.0, f=1.0MHz

MAX

5.0

300

200

1.2

UNITS

μA

R3 (21-June 2005)

1N5061相似产品对比

	1N5061	1N5062
描述	1 A, SILICON, SIGNAL DIODE	SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AP
厂商名称	Central Semiconductor	Central Semiconductor
包装说明	E-XALF-W2	E-XALF-W2
针数	2	2
制造商包装代码	GPR-1A	GPR-1A
Reach Compliance Code	compli	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
应用	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE
最小击穿电压	600 V	800 V
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.2 V	1.2 V
JESD-30 代码	E-XALF-W2	E-XALF-W2
JESD-609代码	e0	e0
最大非重复峰值正向电流	40 A	40 A
元件数量	1	1
相数	1	1
端子数量	2	2
最高工作温度	175 °C	175 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C
最大输出电流	1 A	1 A
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	ELLIPTICAL	ELLIPTICAL
封装形式	LONG FORM	LONG FORM
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	600 V	800 V
最大反向电流	5 µA	5 µA
反向测试电压	600 V	800 V
表面贴装	NO	NO
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL

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