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1N4948G

产品描述1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小530KB,共2页
制造商Chenda
官网地址http://www.szchenda.com
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1N4948G概述

1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

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1N4942G THRU 1N4948G
FAST RECOVERY GLASS PASSIVATED RECTIFIERS
Reverse Voltage - 200 to 1000 Volts
Forward Current - 1.0 Ampere
DO-41
FEATURES
The plastic package carries Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
Fast switching for high efficiency
Low reverse leakage
High forward surge current capability
High temperature soldering guaranteed:
250 C/10 seconds,0.375
(9.5mm) lead length,
5 lbs. (2.3kg) tension
1.0 (25.4)
MIN.
0.107(2.7)
0.080(2.0)
DIA.
0.205(5.2)
0.166(4.2)
MECHANICAL DATA
1.0 (25.4)
MIN.
0.034(0.86)
0.028(0.70)
DIA.
Dimensions in inches and (millimeters)
Case:
JEDEC DO-41 molded plastic body
Terminals:
Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity:
Color band denotes cathode end
Mounting Position:
Any
Weight:0.012
ounce, 0.33 grams
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
MDD Catalog Number
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375”(9.5mm) lead length at T
A
=75 C
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A
Maximum DC reverse current
T
A
=25 C
at rated DC blocking voltage
T
A
=100 C
Maximum reverse recovery time
(NOTE 1)
Typical junction capacitance (NOTE 2)
Typical thermal resistance (NOTE 3)
Operating junction and storage temperature range
SYMBOLS
1N
4942G
1N
4944G
1N
4946G
1N
4947G
1N
4948G
UNITS
VOLTS
VOLTS
VOLTS
Amp
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
200
140
200
400
280
400
600
420
600
1.0
800
560
800
1000
700
1000
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
,
T
STG
150
30.0
1.3
5.0
50.0
250
15.0
50.0
-65 to +150
500
Amps
Volts
µ
A
ns
pF
C/W
C
Note:1.Reverse
recovery condition I
F
=0.5A,I
R
=1.0A,Irr=0.25A
2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
3.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375”(9.5mm)lead length,P.C.B. mounted

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