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BZX85C10_T50R

产品描述Zener Diode, 10V V(Z), 5%, 1.3W, Silicon, Unidirectional, DO-41
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小152KB,共6页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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BZX85C10_T50R在线购买

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BZX85C10_T50R概述

Zener Diode, 10V V(Z), 5%, 1.3W, Silicon, Unidirectional, DO-41

BZX85C10_T50R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time18 weeks
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗7 Ω
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.3 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压10 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
工作测试电流25 mA
Base Number Matches1

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BZX85C3V3 - BZX85C56 — Zener Diodes
September 2013
BZX85C3V3 - BZX85C56
Zener Diodes
Tolerance = 5%
DO-41 Glass Case
COLOR BAND DENOTES CATHODE
Absolute Maximum Ratings
Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be opera-
ble above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addi-
tion, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The
absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at T
A
= 25°C unless otherwise noted.
Symbol
P
D
T
J
, T
STG
Parameter
Power Dissipation @ T
A
= 25°C
Power Dissipation @ T
L
= 25°C at 4 mm distance from the glass
package
Derate above 50°C
Operating and Storage Temperature Range
Value
1.0
1.3
6.67
-65 to +200
Units
W
mW/°C
°C
© 2007 Fairchild Semiconductor Corporation
BZX85C3V3 - BZX85C56 Rev. 1.1.0
1
www.fairchildsemi.com

 
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