5A, 25V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252, TO-252, DPAK-3
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | TO-252 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 25 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 10 |
| JEDEC-95代码 | TO-252 |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 功耗环境最大值 | 12.5 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 13 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 65 MHz |
| VCEsat-Max | 1.8 V |
| Base Number Matches | 1 |
| MJD210T4 | MJD200T4 | |
|---|---|---|
| 描述 | 5A, 25V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252, TO-252, DPAK-3 | 5A, 25V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252, TO-252, DPAK-3 |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | TO-252 | TO-252 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | TO-252, DPAK-3 |
| 针数 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | _compli | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 5 A | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 25 V | 25 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 10 | 10 |
| JEDEC-95代码 | TO-252 | TO-252 |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 |
| 极性/信道类型 | PNP | NPN |
| 功耗环境最大值 | 12.5 W | 12.5 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 13 W | 13 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 65 MHz | 65 MHz |
| VCEsat-Max | 1.8 V | 1.8 V |
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