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TS13002_08

产品描述High Voltage NPN Transistor
文件大小391KB,共5页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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TS13002_08概述

High Voltage NPN Transistor

TS13002_08相似产品对比

TS13002_08 TS13002CTA3G TS13002CTB0G
描述 High Voltage NPN Transistor High Voltage NPN Transistor High Voltage NPN Transistor
包装说明 - CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code - compli compli
ECCN代码 - EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) - 0.2 A 0.2 A
集电极-发射极最大电压 - 400 V 400 V
配置 - SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) - 10 10
JEDEC-95代码 - TO-92 TO-92
JESD-30 代码 - O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
元件数量 - 1 1
端子数量 - 3 3
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - ROUND ROUND
封装形式 - CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 - NPN NPN
表面贴装 - NO NO
端子形式 - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 - BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 - SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 - SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) - 4 MHz 4 MHz
最大关闭时间(toff) - 4700 ns 4700 ns
最大开启时间(吨) - 888 ns 888 ns
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