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TS13002A_09

产品描述300 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小187KB,共5页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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TS13002A_09概述

300 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

300 mA, 400 V, NPN, 硅, 小信号晶体管, TO-92

TS13002A_09规格参数

参数名称属性值
最大集电极电流0.3000 A
最大集电极发射极电压400 V
端子数量3
最大关断时间4700 ns
加工封装描述GREEN PACKAGE-3
状态Active
结构SINGLE
最小直流放大倍数12
jedec_95_codeTO-92
jesd_30_codeO-PBCY-T3
元件数量1
包装材料PLASTIC/EPOXY
包装形状ROUND
包装尺寸CYLINDRICAL
larity_channel_typeNPN
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
额定交叉频率4 MHz

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TS13002A
High Voltage NPN Transistor
TO-92
Pin Definition:
1. Emitter
2. Collector
3. Base
PRODUCT SUMMARY
BV
CEO
BV
CBO
I
C
V
CE(SAT)
400V
700V
0.3A
1.5V @ I
C
/ I
B
= 200mA / 20mA
Features
High Voltage
High Speed Switching
Block Diagram
Structure
Silicon Triple Diffused Type
NPN Silicon Transistor
Ordering Information
Part No.
TS13002ACT B0
TS13002ACT B0G
TS13002ACT A3
TS13002ACT A3G
Package
TO-92
TO-92
TO-92
TO-92
Packing
1Kpcs / Bulk
1Kpcs / Bulk
2Kpcs / Ammo
2Kpcs / Ammo
Note: “G” denote for Green Product
Absolute Maximum Rating
(Ta = 25
o
C unless otherwise noted)
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Operating Junction Temperature
Operating Junction and Storage Temperature Range
DC
Pulse
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
D
T
J
T
STG
Limit
700V
400V
9
0.3
0.5
0.6
+150
- 55 to +150
Unit
V
V
V
A
W
o
o
C
C
Thermal Performance
Parameter
Junction to Ambient Thermal Resistance
Symbol
JA
Limit
122
Unit
o
C/W
1/5
Version: E07

TS13002A_09相似产品对比

TS13002A_09 TS13002ACTA3G TS13002ACTB0G
描述 300 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 300 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 300 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
端子数量 3 3 3
元件数量 1 1 1
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
厂商名称 - Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor
包装说明 - CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code - compli compli
ECCN代码 - EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) - 0.3 A 0.3 A
集电极-发射极最大电压 - 400 V 400 V
配置 - SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) - 12 12
JEDEC-95代码 - TO-92 TO-92
JESD-30 代码 - O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - ROUND ROUND
封装形式 - CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 - NPN NPN
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
标称过渡频率 (fT) - 4 MHz 4 MHz
最大关闭时间(toff) - 4700 ns 4700 ns
Base Number Matches - 1 1

 
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