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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> TPCA8030-H

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TPCA8030-H: 产品描述TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS V-H); 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小150KB，共7页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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TPCA8030-H概述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS V-H)

TPCA8030-H规格参数

参数名称	属性值
包装说明	SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5
针数	8
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	75 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (ID)	24 A
最大漏源导通电阻	0.0134 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	S-PDSO-F5
元件数量	1
端子数量	5
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	SQUARE
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	72 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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