STK12C68-L25IM,STK12C68-L25IM pdf中文资料,STK12C68-L25IM引脚图,STK12C68-L25IM电路-Datasheet-电子工程世界

STK12C68-L25IM: 产品描述8K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 35 ns, CDIP28; 产品类别存储; 文件大小62KB，共10页; 制造商ETC1

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STK12C68-L25IM概述

8K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 35 ns, CDIP28

8K × 8 非易失性存储器, 35 ns, CDIP28

STK12C68-L25IM规格参数

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	28
最大工作温度	85 Cel
最小工作温度	-40 Cel
最大供电/工作电压	5.5 V
最小供电/工作电压	4.5 V
额定供电电压	5 V
最大存取时间	35 ns
加工封装描述	0.300 INCH, 陶瓷, DIP-28
状态	DISCONTINUED
工艺	CMOS
包装形状	矩形的
包装尺寸	IN-线
端子形式	THROUGH-孔
端子间距	2.54 mm
端子涂层	金
端子位置	双
包装材料	陶瓷, 金属-SEALED COFIRED
温度等级	INDUSTRIAL
内存宽度	8
组织	8K × 8
存储密度	65536 deg
操作模式	ASYNCHRONOUS
位数	8192 words
位数	8K
内存IC类型	非易失性存储器
串行并行	并行

STK12C68-L25IM相似产品对比

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描述	8K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 35 ns, CDIP28	8K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 35 ns, CDIP28	8K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 35 ns, CDIP28	8K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 35 ns, CDIP28	8K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 35 ns, CDIP28	8K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 35 ns, CDIP28	8K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 35 ns, CDIP28	8K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 35 ns, CDIP28	8K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 35 ns, CDIP28	8K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 35 ns, CDIP28
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28	28	28	28	28	28	28
最大工作温度	85 Cel	85 Cel	85 Cel	85 Cel	85 Cel	85 Cel	85 Cel	85 Cel	85 Cel	85 Cel
最小工作温度	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel
最大供电/工作电压	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电/工作电压	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
额定供电电压	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
最大存取时间	35 ns	35 ns	35 ns	35 ns	35 ns	35 ns	35 ns	35 ns	35 ns	35 ns
加工封装描述	0.300 INCH, 陶瓷, DIP-28	0.300 INCH, 陶瓷, DIP-28	0.300 INCH, 陶瓷, DIP-28	0.300 INCH, 陶瓷, DIP-28	0.300 INCH, 陶瓷, DIP-28	0.300 INCH, 陶瓷, DIP-28	0.300 INCH, 陶瓷, DIP-28	0.300 INCH, 陶瓷, DIP-28	0.300 INCH, 陶瓷, DIP-28	0.300 INCH, 陶瓷, DIP-28
状态	DISCONTINUED	DISCONTINUED	DISCONTINUED	DISCONTINUED	DISCONTINUED	DISCONTINUED	DISCONTINUED	DISCONTINUED	DISCONTINUED	DISCONTINUED
工艺	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
包装形状	矩形的	矩形的	矩形的	矩形的	矩形的	矩形的	矩形的	矩形的	矩形的	矩形的
包装尺寸	IN-线	IN-线	IN-线	IN-线	IN-线	IN-线	IN-线	IN-线	IN-线	IN-线
端子形式	THROUGH-孔	THROUGH-孔	THROUGH-孔	THROUGH-孔	THROUGH-孔	THROUGH-孔	THROUGH-孔	THROUGH-孔	THROUGH-孔	THROUGH-孔
端子间距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子涂层	金	金	金	金	金	金	金	金	金	金
端子位置	双	双	双	双	双	双	双	双	双	双
包装材料	陶瓷, 金属-SEALED COFIRED	陶瓷, 金属-SEALED COFIRED	陶瓷, 金属-SEALED COFIRED	陶瓷, 金属-SEALED COFIRED	陶瓷, 金属-SEALED COFIRED	陶瓷, 金属-SEALED COFIRED	陶瓷, 金属-SEALED COFIRED	陶瓷, 金属-SEALED COFIRED	陶瓷, 金属-SEALED COFIRED	陶瓷, 金属-SEALED COFIRED
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	8	8
组织	8K × 8	8K × 8	8K × 8	8K × 8	8K × 8	8K × 8	8K × 8	8K × 8	8K × 8	8K × 8
存储密度	65536 deg	65536 deg	65536 deg	65536 deg	65536 deg	65536 deg	65536 deg	65536 deg	65536 deg	65536 deg
操作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
内存IC类型	非易失性存储器	非易失性存储器	非易失性存储器	非易失性存储器	非易失性存储器	非易失性存储器	非易失性存储器	非易失性存储器	非易失性存储器	非易失性存储器
串行并行	并行	并行	并行	并行	并行	并行	并行	并行	并行	并行
位数	8K	8K	8K	8K	8K	8K	8K	8K	8K	8K

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