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UK2158G-AE2-R

产品描述±0.1A, 50V N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小124KB,共3页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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UK2158G-AE2-R概述

±0.1A, 50V N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH-SPEED SWITCHING

UK2158G-AE2-R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明HALOGEN FREE PACKAGE-3
Reach Compliance Codecompli
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压50 V
最大漏极电流 (ID)0.1 A
最大漏源导通电阻20 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-236
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

UK2158G-AE2-R相似产品对比

UK2158G-AE2-R UK2158 UK2158L-AE2-R
描述 ±0.1A, 50V N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH-SPEED SWITCHING ±0.1A, 50V N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH-SPEED SWITCHING ±0.1A, 50V N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
是否Rohs认证 符合 - 符合
厂商名称 UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD - UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明 HALOGEN FREE PACKAGE-3 - LEAD FREE PACKAGE-3
Reach Compliance Code compli - compli
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 50 V - 50 V
最大漏极电流 (ID) 0.1 A - 0.1 A
最大漏源导通电阻 20 Ω - 20 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-236 - TO-236
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3
元件数量 1 - 1
端子数量 3 - 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL
表面贴装 YES - YES
端子形式 GULL WING - GULL WING
端子位置 DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
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