±0.1A, 50V N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD |
包装说明 | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
Reach Compliance Code | compli |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 50 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.1 A |
最大漏源导通电阻 | 20 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-236 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
UK2158G-AE2-R | UK2158 | UK2158L-AE2-R | |
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描述 | ±0.1A, 50V N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH-SPEED SWITCHING | ±0.1A, 50V N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH-SPEED SWITCHING | ±0.1A, 50V N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 |
厂商名称 | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD | - | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD |
包装说明 | HALOGEN FREE PACKAGE-3 | - | LEAD FREE PACKAGE-3 |
Reach Compliance Code | compli | - | compli |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 50 V | - | 50 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.1 A | - | 0.1 A |
最大漏源导通电阻 | 20 Ω | - | 20 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-236 | - | TO-236 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | - | R-PDSO-G3 |
元件数量 | 1 | - | 1 |
端子数量 | 3 | - | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL |
表面贴装 | YES | - | YES |
端子形式 | GULL WING | - | GULL WING |
端子位置 | DUAL | - | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | - | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON |
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