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SMBJ11A(CA)

产品描述600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小1MB,共3页
制造商TAYCHIPST
官网地址http://www.taychipst.com
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SMBJ11A(CA)概述

600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA

600 W, 单向, 硅, 瞬态抑制二极管, DO-214AA

SMBJ11A(CA)规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
最大击穿电压7.82 V
最小击穿电压6.4 V
加工封装描述塑料, SMB, 2 PIN
状态TRANSFERRED
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式C BEND
端子涂层NOT SPECIFIED
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
工艺AVALANCHE
结构单一的
二极管元件材料
极性单向
二极管类型TRANS 电压 SUPPRESSOR 二极管
关闭电压5 V
最大非重复峰值转速功率600 W

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SMBJ5.0 THRU SMBJ170CA
600W
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE RECTIFIERS
Features
For surface mounted application
Low profile package
Built-in strain relief
Glass passivated junction
Excellent clamping capability
Fast response time: Typically less than 1.0ps
from 0 volt to BV min.
Typical I
R
less than 1μA above 10V
High temperature soldering guaranteed:
260
o
C / 10 seconds at terminals
Plastic material used carries Underwriters
Laboratory Flammability Classification 94V-0
600 watts peak pulse power capability with a 10
x 1000 us waveform by 0.01% duty cycle
Mechanical Data
Case: Molded plastic
Terminals: Pure tin plated lead free,
Polarity: Indicated by cathode band except
bipolar
Standard packaging: 12mm tape (EIA STD
RS-481)
Weight: 0.093gram
MAXIMUM RATINGS
Rating at Ta = 25
?
C ambient temperature unless otherwise specified.
Rating
Peak Pulse Power Dissipation on 10/1000µs (1)
waveform (Notes 1, 2, Fig. 3)
Peak Pulse Current on 10/1000µs
waveform (Note 1, Fig. 5)
Peak forward Surge Current
8.3 ms single half sine-wave superimposed on
rated load ( JEDEC Method )(Notes 2, 3)
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 50A (Note 3,4 )
Operating Junction and Storage Temperature Range
Symbol
Value
Units
P
PPM
Minimum 600
Watts
I
PPM
See Table
Amps
V
FM
T
J,
T
STG
See Note 3, 4
- 65 to + 150
Volts
?C
Note :
(1) Non-repetitive Current pulse, per Fig. 5 and derated above Ta = 25
?
C per Fig. 1
(2) Mounted on 5.0mm2 (0.013mm thick) land areas.
(3) Measured on 8.3ms. Single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minutes maximum.
(4) V
F
=3.5V for SMBJ5.0 thru SMBJ90 devices and V
F
=5V for SMBJ100 thru SMBJ170 devices.
UPDATE : MAY 25, 2000
E-mail: sales@taychipst.com
1 of 3
Web Site: www.taychipst.com

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描述 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
端子数量 2 2 2
元件数量 1 1 1
最大击穿电压 7.82 V 7.82 V 7.82 V
最小击穿电压 6.4 V 6.4 V 6.4 V
加工封装描述 塑料, SMB, 2 PIN 塑料, SMB, 2 PIN 塑料, SMB, 2 PIN
状态 TRANSFERRED TRANSFERRED TRANSFERRED
包装形状 矩形的 矩形的 矩形的
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
表面贴装 Yes Yes Yes
端子形式 C BEND C BEND C BEND
端子涂层 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
端子位置
包装材料 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂
工艺 AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE
结构 单一的 单一的 单一的
二极管元件材料
极性 单向 单向 单向
二极管类型 TRANS 电压 SUPPRESSOR 二极管 TRANS 电压 SUPPRESSOR 二极管 TRANS 电压 SUPPRESSOR 二极管
关闭电压 5 V 5 V 5 V
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