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SMAB13U

产品描述1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小41KB,共2页
制造商KEC
官网地址http://www.keccorp.com/
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SMAB13U概述

1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE

SMAB13U规格参数

参数名称属性值
厂商名称KEC
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-C2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式C BEND
端子位置DUAL

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SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
SWITCHING TYPE POWER SUPPLY APPLICATIONS.
2
SMAB13U
SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE
FEATURES
・Low
Profile Surface Mount Package.
・Low
Power Loss, High Efficiency.
・For
Use in Low Voltage, High Frequency inverters, Free
Wheeling, and Polarity Protection Applications.
A
D
H
E
1
C
B
G
APPLICATION
・Switching
Power Supply.
・DC/DC
Converter.
・Home
Appliances, Office Equipment.
・Telecommunication.
1. ANODE
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
MILLIMETERS
_
4.5 + 0.2
_
2.6 + 0.2
_
1.5 + 0.2
_
5.0 + 0.3
_
1.2 + 0.3
_
2.0 + 0.2
0 ~ 0.15
R 0.5
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Output Rectitifed Current
Peak One Cycle Surge Forward Current
(Non-Repetitive 60Hz)
Junction Temperature
Storage Temperature Range
SYMBOL
V
RRM
I
O
I
FSM
T
j
T
stg
RATING
30
1
40
-40½125
-40½125
UNIT
V
A
A
2. CATHODE
Marking
F
SMA
Type Name
B13U
Lot No.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC
Peak Forward Voltage
Repetitive Peak Reverse Current
SYMBOL
V
FM
I
RRM
R
th(j-1)
Thermal Resistance
R
th(j-a)
TEST CONDITION
I
FM
=3.0A
V
RRM
=Rated
Junction to lead
Junction to ambient
(on alumina substrate)
MIN.
-
-
-
-
TYP.
-
-
-
-
MAX.
0.47
2.0
23
108
℃/W
UNIT
V
mA
2009. 9. 30
Revision No : 0
E
1/2
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