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SM8S16

产品描述5200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小92KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SM8S16概述

5200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB

SM8S16规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
Reach Compliance Codeunknown
击穿电压标称值19.8 V
最大钳位电压28.8 V
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-609代码e0
极性UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压16 V
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

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SM8S10 thru SM8S43A
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Surface Mount PAR
®
Transient Voltage Suppressors
High Temperature Stability and High Reliability Conditions
FEATURES
• Junction passivation optimized design passivated
anisotropic rectifier technology
• T
J
= 175 °C capability suitable for high reliability
and automotive requirement
• Available in uni-directional polarity only
• Low leakage current
• Low forward voltage drop
• High surge capability
• Meets ISO7637-2 surge specification (varied by test
condition)
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of
245 °C
• AEC-Q101 qualified
• Material categorization: For definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
6600 W
5200 W
8W
10 V to 43 V
700 A
175 °C
Uni-directional
DO-218AB
DO-218AB
PRIMARY CHARACTERISTICS
V
BR
P
PPM
(10 x 1000 μs)
P
PPM
(10 x 10 000 μs)
P
D
V
WM
I
FSM
T
J
max.
Polarity
Package
11.1 V to 52.8 V
TYPICAL APPLICATIONS
Use in sensitive electronics protection against voltage
transients induced by inductive load switching and lighting,
especially for automotive load dump protection application.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-218AB
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/NHE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable
J-STD-002 and JESD 22-B102
HE3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
Heatsink is anode
per
MAXIMUM RATINGS
(T
C
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
with 10/1000 μs waveform
Peak pulse power dissipation
with 10/10 000 μs waveform
Power dissipation on infinite heatsink at T
C
= 25 °C (fig. 1)
Peak pulse current with 10/1000 μs waveform
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
Operating junction and storage temperature range
Note
(1)
Non-repetitive current pulse derated above T = 25 °C
A
P
PPM
P
D
I
PPM (1)
I
FSM
T
J
, T
STG
SYMBOL
VALUE
6600
W
5200
8.0
See next table
700
-55 to +175
W
A
A
°C
UNIT
Revision: 18-Sep-12
Document Number: 88387
1
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www.vishay.com/doc?91000
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