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SI2302_11

产品描述N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
文件大小257KB,共5页
制造商MCC
官网地址http://www.mccsemi.com
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SI2302_11概述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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MCC
TM
Micro Commercial Components
  omponents
20736 Marilla Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
SI2302
Features
20V,3.0A, R
DS(ON)
=55m¡@V
GS
=4.5V
R
DS(ON)
=82m¡@V
GS
=2.5V
High dense cell design for extremely low R
DS(ON)
Rugged and reliable
Lead free product is acquired
SOT-23 Package
Marking Code: S2
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisture Sensitivity Level 1
Parameter
Drain-source Voltage
Drain Current-Continuous
Drain Current-Pulsed
a
Gate-source Voltage
Total Power Dissipation
Thermal Resistance Junction to Ambient
b
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
N-Channel
Enhancement Mode
Field Effect Transistor
SOT-23
A
D
Maximum Ratings @ 25
O
C Unless Otherwise Specified
Symbol
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
R
©
JA
T
J
T
STG
Rating
20
3
10
f8
1.25
100
-55 to +150
-55 to +150
Unit
V
A
A
V
W
/W
3
1.GATE
C
B
2. SOURCE
3. DRAIN
1
F
E
2
G
K
H
J
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
MM
MIN
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
Internal Block Diagram
D
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
MAX
.120
.098
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
MAX
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
NOTE
Suggested Solder
Pad Layout
G
.035
.900
.031
.800
S
.079
2.000
inches
mm
.037
.950
.037
.950
www.mccsemi.com
Revision:
A
1 of 5
2011/01/01

 
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