电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SI2301_11

产品描述P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
文件大小319KB,共5页
制造商MCC
官网地址http://www.mccsemi.com
下载文档 全文预览

SI2301_11概述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文档预览

下载PDF文档
MCC
TM
Micro Commercial Components
  omponents
20736 Marilla Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
SI2301
Features
-20V,-2.8A, R
DS(ON)
=120mΩ@V
GS
=-4.5V
R
DS(ON)
=150mΩ@V
GS
=-2.5V
High dense cell design for extremely low R
DS(ON)
Rugged and reliable
High Speed Switching
SOT-23 Package
Marking Code: S1
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisture Sensitivity Level 1
Parameter
Drain-source Voltage
Drain Current-Continuous
Drain Current-Pulsed
a
Gate-source Voltage
Total Power Dissipation
Thermal Resistance Junction to Ambient
b
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
P-Channel
Enhancement Mode
Field Effect Transistor
SOT-23
A
D
Maximum Ratings @ 25
O
C Unless Otherwise Specified
Symbol
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
R
θ
JA
T
J
T
STG
Rating
-20
-2.8
-10
±8
1.25
100
-55 to +150
-55 to +150
Unit
V
A
A
V
W
℃/W
3
1.GATE
C
B
2. SOURCE
3. DRAIN
1
F
E
2
G
K
H
J
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
MM
MIN
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
Internal Block Diagram
D
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
MAX
.120
.098
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
MAX
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
NOTE
G
Suggested Solder
Pad Layout
.031
.800
.035
.900
.079
2.000
inches
mm
S
.037
.950
.037
.950
www.mccsemi.com
Revision:
A
1
of
5
2011/01/01

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2730  2442  772  1362  38  32  41  46  55  18 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved