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SI1413EDH

产品描述P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小104KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI1413EDH概述

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

SI1413EDH规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码SC-70
包装说明,
针数6
Reach Compliance Codeunknow
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.3 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.52 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

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SPICE Device Model Si1413EDH
Vishay Siliconix
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
CHARACTERISTICS
P-Channel Vertical DMOS
Macro Model (Subcircuit Model)
Level 3 MOS
Apply for both Linear and Switching Application
Accurate over the
−55
to 125°C Temperature Range
Model the Gate Charge, Transient, and Diode Reverse Recovery
Characteristics
DESCRIPTION
The attached spice model describes the typical electrical
characteristics of the p-channel vertical DMOS. The subcircuit
model is extracted and optimized over the
−55
to 125°C
temperature ranges under the pulsed 0-V to 5-V gate drive. The
saturated output impedance is best fit at the gate bias near the
threshold voltage.
A novel gate-to-drain feedback capacitance network is used to model
the gate charge characteristics while avoiding convergence difficulties
of the switched C
gd
model. All model parameter values are optimized
to provide a best fit to the measured electrical data and are not
intended as an exact physical interpretation of the device.
SUBCIRCUIT MODEL SCHEMATIC
This document is intended as a SPICE modeling guideline and does not constitute a commercial product data sheet. Designers should refer to the appropriate
data sheet of the same number for guaranteed specification limits.
Document Number: 71502
S-51305⎯Rev. C, 27-Jul-05
www.vishay.com
1

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