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SI-A1125_09

产品描述High Voltage Silicon Rectifier Diodes
文件大小130KB,共2页
制造商DIOTEC
官网地址http://www.diotec.com/
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SI-A1125_09概述

High Voltage Silicon Rectifier Diodes

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SI-A1125/500-6 ... SI-A8000/3600-1.8
SI-A1125/500-6 ... SI-A8000/3600-1.8
High Voltage Silicon Rectifier Diodes
Silizium-Hochspannungs-Gleichrichterdioden
Version 2009-01-22
55
16
Nominal current
Nennstrom
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
Hockey-puck plastic case
Hockey-puck Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
2
6...1.8 A
1125...8000 V
Ø 55 x 23 [mm]
125 g
36
23
SI-A 3000/1350-2.5
Polarity: Cathode to stud
Polarität: Kathode am Gewinde
Compound has classification UL94V-0
Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
M8
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type
1
)
Typ
1
)
SI-A1125/500-6
SI-A1750/775-4
SI-A3000/1350-2.5
SI-A8000/3600-1.8
Rated DC voltage
Anschlussgleichspg.
V
RD
[V]
500
775
1350
3600
Alternat. input voltage
Eingangswechselspg.
V
VRMS
[V]
1125
1750
3000
8000
Grenzwerte
Rep. peak reverse voltage
Period. Spitzensperrspg.
V
RRM
[V]
3200
4800
8000
24000
Maximum ratings, T
A
= 50°C
Type
Typ
SI-A1125/500-6
SI-A1750/775-4
SI-A3000/1350-2.5
SI-A8000/3600-1.8
Max. average fwd. current
Dauergrenzstrom
I
FRM
[A]
6.0
4.0
2.5
1.8
Peak fwd. surge current
Stoßstrom
I
FSM
[A]
2
)
300
200
200
100
Grenzwerte, T
A
= 50°C
Rating for fusing
Grenzlastintegral
2
i t [A
2
s] (t<10 ms)
450
200
200
50
T
j
T
S
M8
-50...+150°C
-50...+150°C
< 72 lb.in.
< 8 Nm
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
1
2
SI-A and SI-E are identical devices – Si-A und SI-E sind identische Bauteile
For one 50 Hz half sine-wave – Für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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