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SB1100E

产品描述1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小219KB,共2页
制造商SIRECT
官网地址http://www.sirectsemi.com/
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SB1100E概述

1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

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E
L
E
C
T
R
O
N
I
C
SB140E~SB1100E
Power Schottky Rectifier - 1Amp 40~100Volt
Features
-Low forward voltage drop
-High current capability
-High reliability
-High surge current capability
-Epitaxial construction
DO-41
Mechanical data
-Case:Molded plastic
-Epoxy:UL 94V-0 rate flame retardant
-Lead:Axial leads, solderable per MIL-STD-202,method 208 guaranteed
-Polarity:Color band denotes cathode end
-Mounting position:Any
-Weight:0.34 grams
.107(2.7)
.080(2.0)
.034(0.9)
.028(0.7)
Maximum ratings and Electrical characteristics
TYPE
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load(JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A
Maximum DC Reverse Current at Rated
DC Blocking Voltage
Typical Junction Capacitance
Typical Thermal Resistance R
θ
JA
Operating Temperature Range T
J
Storage Temperature Range T
STG
Note: Pulse Test : 380μs pulse width, 2% duty cycle
June 2009 / Rev.6.4
SB140E
40
28
40
SB160E
60
42
60
1.0
30
SB1100E
100
70
100
1.0(25.4)
.205(5.2)
.166(4.2)
1.0(25.4)
UNIT
V
V
V
A
A
0.55
0.5
20
0.65
0.3
15
110
50
-50 to +150
-50 to +150
0.82
0.01
10
V
mA
pF
ºC/W
Ta = 25ºC
Ta = 100ºC
-50 to +175
ºC
ºC
http:// www.sirectsemi.com
1

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