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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> SB1060
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SB1060

产品描述10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小154KB，共7页
制造商LRC
官网地址http://www.lrc.cn
标准
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SB1060概述

10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

SB1060规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称LRC
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.7 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流175 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压60 V
最大反向电流200 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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SB1020 thru SB10100
Schottky Barrier Rectifiers
Reverse Voltage 35 to 100V Forward Current 10A
Feature & Dimensions
* Plastic package has underwriters laboratory
Flammability classification 94V-0
* Low power loss,high efficiency
* For use in low voltage high frequency inverters,
free wheeling,and polarity protection applications
* Guarding for over voltage protection
* High temperature soldering guaranteed:
260°C/10 seconds at terminals
Mechanical Data
Case
: JEDEC R-6, molded plastic over sky die
MIL-STD-750, Method 2026
Polarity
Weight
: Color band denotes cathode end
: 0.042oz., 1.19 g
: Any
We declare that the material of product compliance
with ROHS requirements
Terminals : Plated axial leads, solderable per
Mounting position
Handling precautin : None
1.Maximum & Thermal Characteristics Ratings
at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Parameter symbol
Device marking code
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RSM voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375" (9.5mm) lead length (See fig. 1)
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC Method)
Thermal resistance, junction to ambient
Operating storage temperature range
storage temperature range
Parameter symbol
Maximum instantaneous forward voltage at 10.0A
Maximum DC reverse current
TC = 25°C
Maximum DC reverse current
TC = 100°C
Typical junction capacitance at 4.0V, 1MHz
V
RRM
V
RSM
V
DC
IF(AV)
I
FSM1
RθJA
TJ
TSTG
Symbol SB1035 SB1045 SB1050 SB1060 SB1080 SB10100
SB1035 SB1045 SB1050 SB1060 SB1080 SB10100
35
35
35
45
45
45
50
50
50
10.0
175
40
–55
to +150
–55
to +175
60
60
60
80
80
80
100
100
100
V
V
V
A
A
°C/W
°C
°C
Unit
Electrical Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Symbol SB1035 SB1045 SB1050 SB1060 SB1080 SB10100
VF
Ir
Ir
CJ
0.55
0.60
200
1000
0.70
0.90
Unit
V
uA
uA
500
380
PF
Notes:
1. Thermal resistance from junction to ambient at 0.375” (9.5mm) lead length, P.C.B. mounted

SB1060相似产品对比

SB1060 SB10100 SB1020 SB1050 SB1080
描述 10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 10 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC 10 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC 10 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合 符合
厂商名称 LRC LRC - LRC -
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2 - O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknow unknow - unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99
其他特性 FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS - FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用 EFFICIENCY EFFICIENCY - EFFICIENCY EFFICIENCY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED - ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE - SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON - SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.7 V 0.9 V - 0.6 V 0.9 V
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 - O-PALF-W2 O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 175 A 175 A - 175 A 175 A
元件数量 1 1 - 1 1
相数 1 1 - 1 1
端子数量 2 2 - 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C - 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C - -55 °C -55 °C
最大输出电流 10 A 10 A - 10 A 10 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND - ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM - LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 60 V 100 V - 50 V 80 V
最大反向电流 200 µA 200 µA - 200 µA 200 µA
表面贴装 NO NO - NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY - SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 WIRE WIRE - WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL - AXIAL AXIAL

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