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MJ2501

产品描述10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小382KB,共4页
制造商ETC1
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MJ2501概述

10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA

10 A, 80 V, PNP, 硅, 功率晶体管, TO-204AA

MJ2501规格参数

参数名称属性值
端子数量2
晶体管极性PNP
最大集电极电流10 A
最大集电极发射极电压80 V
状态TRANSFERRED
包装形状
包装尺寸凸缘安装
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
包装材料金属
结构达林顿 WITH BUILT-IN 二极管 AND 电阻
壳体连接COLLECTOR
元件数量1
晶体管应用放大器
晶体管元件材料
晶体管类型通用电源
最小直流放大倍数1000

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MJ2501
& MJ3001
10A, 150W, 80V
Features:
Medium-power complementary Silicon Transistors for use as output devices in
complementary general purpose amplifier applications.
High DC Current Gain
h
FE
= 1000 (Typical) at I
C
= 5.0A.
Monolithic construction with built Base-Emitter Shunt Resistors.
Dimensions
A
B
C
D
E
F
G
H
Pin 1. Base
2. Emitter
Collector(Case)
I
J
K
Minimum
38.75
19.28
7.96
11.18
25.20
0.92
1.38
29.90
16.64
3.88
10.57
Maximum
39.96
22.23
9.28
12.19
26.67
1.09
1.62
30.40
17.30
4.36
11.16
Dimensions : Millimetres
PNP
NPN
MJ2501
MJ3001
10 Ampere
Darlington
Power Transistors
Complementary Silicon
80 Volts
150 Watts
TO-3
Maximum Ratings
Characteristic
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current-Continuous
-Peak
Base Current
Total Power Dissipation at T
C
= 25°C
Derate above 25°C
Operating and Storage Junction Temperature Range
Symbol
V
CEO
V
CEX
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
J
, T
STG
MJ2501/MJ3001
80
V
5.0
10
12
0.2
150
0.857
-55 to +200
W
W/°C
°C
Unit
A
Page 1
31/05/05 V1.0

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MJ2501 MJ3001
描述 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA POWER TRANSISTOR
状态 TRANSFERRED ACTIVE
晶体管类型 通用电源 GENERAL PURPOSE POWER
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