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V59C1G01808QCLF37H

产品描述DDR DRAM, 128MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
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文件大小2MB,共75页
制造商ProMOS Technologies Inc
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V59C1G01808QCLF37H概述

DDR DRAM, 128MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

V59C1G01808QCLF37H规格参数

参数名称属性值
零件包装代码BGA
包装说明BGA, BGA60,9X11,32
针数60
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间0.5 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)266 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码X-PBGA-B60
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织128MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA60,9X11,32
封装形状UNSPECIFIED
封装形式GRID ARRAY
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
连续突发长度4,8
最大压摆率0.105 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM

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