OP-AMP, 6000 uV OFFSET-MAX, 2 MHz BAND WIDTH, PDIP8
运算放大器, 6000 uV 最大补偿, 2 MHz 波段 宽度, PDIP8
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | National Semiconductor(TI ) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | TRANSCONDUCTANCE |
最大平均偏置电流 (IIB) | 7 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 5 µA |
最小共模抑制比 | 80 dB |
标称共模抑制比 | 110 dB |
频率补偿 | YES |
最大输入失调电压 | 6000 µV |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码 | e0 |
低-失调 | NO |
负供电电压上限 | -18 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | +-15 V |
可编程功率 | YES |
认证状态 | Not Qualified |
标称压摆率 | 50 V/us |
供电电压上限 | 18 V |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
表面贴装 | NO |
技术 | BIPOLAR |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽 | 2000 kHz |
LM3080N | LM3080 | LM3080AN | LM3080M | |
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描述 | OP-AMP, 6000 uV OFFSET-MAX, 2 MHz BAND WIDTH, PDIP8 | OP-AMP, 6000 uV OFFSET-MAX, 2 MHz BAND WIDTH, PDIP8 | OP-AMP, 6000 uV OFFSET-MAX, 2 MHz BAND WIDTH, PDIP8 | OP-AMP, 6000 uV OFFSET-MAX, 2 MHz BAND WIDTH, PDIP8 |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | 运算放大器 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
最大输入失调电压 | 6000 µV | 6000 mV | 5000 µV | 6000 µV |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 8 | 8 | 8 |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-孔 | THROUGH-HOLE | GULL WING |
端子位置 | DUAL | 双 | DUAL | DUAL |
是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | National Semiconductor(TI ) | - | National Semiconductor(TI ) | National Semiconductor(TI ) |
零件包装代码 | DIP | - | DIP | SOIC |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 | - | DIP, DIP8,.3 | SOP, SOP8,.25 |
针数 | 8 | - | 8 | 8 |
Reach Compliance Code | unknow | - | unknow | unknow |
ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 |
架构 | TRANSCONDUCTANCE | - | TRANSCONDUCTANCE | TRANSCONDUCTANCE |
最大平均偏置电流 (IIB) | 7 µA | - | 8 µA | 7 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 5 µA | - | 5 µA | 5 µA |
最小共模抑制比 | 80 dB | - | 80 dB | 80 dB |
标称共模抑制比 | 110 dB | - | 110 dB | 110 dB |
频率补偿 | YES | - | YES | YES |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 | - | R-PDIP-T8 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e0 | - | e0 | e0 |
低-失调 | NO | - | NO | NO |
负供电电压上限 | -18 V | - | -22 V | -18 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | - | -15 V | -15 V |
最高工作温度 | 70 °C | - | 70 °C | 70 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP | - | DIP | SOP |
封装等效代码 | DIP8,.3 | - | DIP8,.3 | SOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | - | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | +-15 V | - | +-15 V | +-15 V |
可编程功率 | YES | - | YES | YES |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
标称压摆率 | 50 V/us | - | 50 V/us | 50 V/us |
供电电压上限 | 18 V | - | 22 V | 18 V |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V | - | 15 V | 15 V |
表面贴装 | NO | - | NO | YES |
技术 | BIPOLAR | - | BIPOLAR | BIPOLAR |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子节距 | 2.54 mm | - | 2.54 mm | 1.27 mm |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽 | 2000 kHz | - | 2000 kHz | 2000 kHz |
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