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SWT-M-42-A1-B26-T6-GSGT-E: 产品描述Toggle Switch,; 产品类别机电产品开关; 文件大小175KB，共2页; 制造商Central Semiconductor; 标准

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SWT-M-42-A1-B26-T6-GSGT-E概述

Toggle Switch,

ID卡读头干扰问题！: 我现在遇到个奇怪的问题，不知如何解决，我最近要改进公司的POS售饭机的ID卡读卡问题，其实我手头上的程序读卡是很好使的，但是当两个售饭机的读头离的很的时，就不能连续在同一个读头上读出卡号了，但是两个读头轮流读卡就没有问题，如果只在一个读头上读卡就很慢，我怀疑是读头离太近，它们之间有干扰了，但想不明白为什么？我大体读一下程序的结构，开始是检测9位起始位，然后是读卡号，读两次并比较，如果正确做相应处理...; 象眼嵌入式系统

傲飞电子AVRM16开发板调试: 呵呵，很高兴能得到这块傲飞电子的AVRM16开发板。开发板大小很小，很精致呀。一拿到手就爱得不得了呀。因为元件问题我这里没有焊接全完。有用的只有串口，LED了。这个板子有一个问题，就是左下脚的74HC04那里，全部的脚都连一起了。导致短路。应该不是设计问题。呵呵，在我美工刀的精心雕刻下，划开了，所有错误的线，终于OK了。！有点瑕疵但是还是不影响使用。。真的很小巧呀！！呵呵[[i] 本帖最后由 ke...; kevinchin Microchip MCU

为什么C6000 需要Cache？: 大容量的存储器（如DRAM）访问速度受到限制，一般比CPU时钟速度慢很多；小容量的存储器（如SRAM）能提供快速的访问速度。因此很多高性能的处理器都提供分层的存储访问架构。如图3所示，左右分别是平坦式存储器架构和2层cache的多层存储架构。在左边的架构中，即使CPU能运行在600MHz，但由于片内/片外存储器只能运行在300MHz/100MHz，CPU在访问存储时需插入等待周期。图3 平坦式和层...; fish001 DSP 与 ARM 处理器

微波电阻／陶瓷基片: 微波电阻／陶瓷基片　　我公司专业开发各类微波电阻、金属化陶瓷电路基片、微波延迟线（匹配线），主要有以下产品：　◆ 光电通信器件中的各类镀金陶瓷基片和金属化陶瓷载体，同时可制作小电阻。　　载体基片厚度： 0.25 、 0.3 、 0.38 、 0.63 可选；　　体材料：氧化铝、硅、氮化铝系列；　　外形尺寸：最小可加工到 0.3×0.3mm ；　　镀金方式：单面、双面。　◆ 微波通信器...; fighting 模拟电子

请问STM32F101的1脚位？: 刚买了些STM32F101R8，上面有两个圈，以前用的是101RB，　一个圈，不知1脚在哪个位置，按经验应该是那个小圈，不知对不对？资料上只有一个圈，和我以前用的RB版一致，请用过的指点下。小圈在字正看时的左下方。...; wucc007isyou stm32/stm8

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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