Low Power Dual Operational Amplifier 8-CDIP -55 to 125
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Texas Instruments |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.05 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.06 µA |
| 最小共模抑制比 | 65 dB |
| 标称共模抑制比 | 80 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.03 µA |
| 最大输入失调电压 | 2000 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 10.16 mm |
| 低-偏置 | NO |
| 低-失调 | NO |
| 微功率 | NO |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 包装方法 | TUBE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 功率 | NO |
| 电源 | +-1.5/+-15/3/30 V |
| 可编程功率 | NO |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 标称压摆率 | 0.5 V/us |
| 最大压摆率 | 1.2 mA |
| 供电电压上限 | 32 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 总剂量 | 100k Rad(Si) V |
| 标称均一增益带宽 | 700 kHz |
| 最小电压增益 | 25000 |
| 宽带 | NO |
| 宽度 | 7.62 mm |
| LM158AJRQMLV | LM158AH-SMD | LM158AWGRLQMLV | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Low Power Dual Operational Amplifier 8-CDIP -55 to 125 | Low Power Dual Operational Amplifier 8-TO-99 -55 to 125 | Low Power Dual Operational Amplifier 10-CFP -55 to 125 |
| Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 零件包装代码 | DIP | BCY | SOIC |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 | TO-99, CAN8,.2 | SOIC-10 |
| 针数 | 8 | 8 | 10 |
| Reach Compliance Code | _compli | _compli | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.05 µA | 0.05 µA | 0.001 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.06 µA | 0.05 µA | 0.06 µA |
| 最小共模抑制比 | 65 dB | 65 dB | 65 dB |
| 标称共模抑制比 | 80 dB | 80 dB | 80 dB |
| 频率补偿 | YES | YES | YES |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.03 µA | 0.03 µA | 0.03 µA |
| 最大输入失调电压 | 2000 µV | 2000 µV | 2000 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 | O-MBCY-W8 | R-CDSO-G10 |
| 长度 | 10.16 mm | 9.08 mm | 6.86 mm |
| 低-偏置 | NO | NO | NO |
| 低-失调 | NO | NO | NO |
| 微功率 | NO | NO | NO |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 2 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 10 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | METAL | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP | TO-99 | SOP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 | CAN8,.2 | SOP10,.4 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | ROUND | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | CYLINDRICAL | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 功率 | NO | NO | NO |
| 电源 | +-1.5/+-15/3/30 V | +-1.5/+-15/3/30 V | +-1.5/+-15/3/30 V |
| 可编程功率 | NO | NO | NO |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V | MIL-STD-883 | MIL-PRF-38535 Class V |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 5.72 mm | 2.33 mm |
| 标称压摆率 | 0.5 V/us | 0.3 V/us | 0.5 V/us |
| 最大压摆率 | 1.2 mA | 1.2 mA | 1.2 mA |
| 供电电压上限 | 32 V | 32 V | 32 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | YES |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | WIRE | GULL WING |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | BOTTOM | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 700 kHz | 700 kHz | 700 kHz |
| 最小电压增益 | 25000 | 25000 | 25000 |
| 宽带 | NO | NO | NO |
| 宽度 | 7.62 mm | 9.08 mm | 6.12 mm |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | - |
| 总剂量 | 100k Rad(Si) V | - | 100k Rad(Si) V |
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