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IRF1010NPBF

产品描述85 A, 55 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小3MB,共8页
制造商Kersemi Electronic
官网地址http://www.kersemi.com
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IRF1010NPBF在线购买

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IRF1010NPBF概述

85 A, 55 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

85 A, 55 V, 0.011 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB

IRF1010NPBF规格参数

参数名称属性值
端子数量3
最小击穿电压55 V
加工封装描述LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸FLANGE MOUNT
端子形式THROUGH-HOLE
端子涂层MATTE TIN OVER NICKEL
端子位置SINGLE
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接DRAIN
元件数量1
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
通道类型N-CHANNEL
场效应晶体管技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式ENHANCEMENT
晶体管类型GENERAL PURPOSE POWER
最大漏电流85 A
额定雪崩能量250 mJ
最大漏极导通电阻0.0110 ohm
最大漏电流脉冲290 A

 
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