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SN54LS670

产品描述4 X 4 STANDARD SRAM, 45 ns, PDIP16
产品类别存储   
文件大小109KB,共6页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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SN54LS670概述

4 X 4 STANDARD SRAM, 45 ns, PDIP16

SN54LS670规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量16
最大工作温度70 Cel
最小工作温度0.0 Cel
最大供电/工作电压5.25 V
最小供电/工作电压4.75 V
额定供电电压5 V
最大存取时间45 ns
加工封装描述ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-001, DIP-16
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
中国RoHS规范Yes
状态ACTIVE
工艺TTL
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸IN-LINE
端子形式THROUGH-HOLE
端子间距2.54 mm
端子涂层NICKEL PALLADIUM GOLD
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
温度等级COMMERCIAL
内存宽度4
组织4 X 4
存储密度16 deg
操作模式ASYNCHRONOUS
位数4 words
位数4
内存IC类型STANDARD SRAM
串行并行PARALLEL

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SN54/74LS670
4 x 4 REGISTER FILE
WITH 3-STATE OUTPUTS
The TTL / MSI SN54 / 74LS670 is a high-speed, low-power 4 x 4 Register
File organized as four words by four bits. Separate read and write inputs, both
address and enable, allow simultaneous read and write operation.
The 3-state outputs make it possible to connect up to 128 outputs to in-
crease the word capacity up to 512 words. Any number of these devices can
be operated in parallel to generate an n-bit length.
The SN54 / 74LS170 provides a similar function to this device but it features
open-collector outputs.
4 x 4 REGISTER FILE
WITH 3-STATE OUTPUTS
LOW POWER SCHOTTKY
Simultaneous Read/ Write Operation
Expandable to 512 Words by n-Bits
Typical Access Time to 20 ns
3-State Outputs for Expansion
Typical Power Dissipation of 125 mW
J SUFFIX
CERAMIC
CASE 620-09
16
1
CONNECTION DIAGRAM DIP
(TOP VIEW)
VCC
16
D1
15
WA
14
WB
13
EW
12
ER
11
Q1
10
Q2
9
NOTE:
The Flatpak version
has the same pinouts
(Connection Diagram) as
the Dual In-Line Package.
16
1
N SUFFIX
PLASTIC
CASE 648-08
16
1
D SUFFIX
SOIC
CASE 751B-03
1
D2
2
D3
3
D4
4
RB
5
RA
6
Q4
7
Q3
8
GND
ORDERING INFORMATION
PIN NAMES
LOADING (Note a)
HIGH
D1 – D4
WA, WB
EW
RA, RB
ER
Q1 – Q4
Data Inputs
Write Address Inputs
Write Enable (Active LOW) Input
Read Address Inputs
Read Enable (Active LOW) Input
Outputs (Note b)
0.5 U.L.
0.5 U.L.
1.0 U.L.
0.5 U.L.
1.5 U.L.
65 (25) U.L.
LOW
0.25 U.L.
0.25 U.L.
0.5 U.L.
0.25 U.L.
0.75 U.L.
15 (7.5) U.L.
SN54LSXXXJ
SN74LSXXXN
SN74LSXXXD
Ceramic
Plastic
SOIC
LOGIC SYMBOL
12
14
13
5
4
WA EW
WB
RA
RB E
R
11
15 1
2
3
NOTES:
a) 1 TTL Unit Load (U.L.) = 40
µA
HIGH/1.6 mA LOW.
b) The Output LOW drive factor is 7.5 U.L. for Military (54) and 15 U.L. for Commercial
(74) Temperature Ranges. The Output HIGH drive factor is 25 U.L. for Military and
65 U.L. for Commercial Temperature Ranges.
D1 D2 D3 D4
Q1 Q2 Q3 Q4
10 9 7
6
VCC = PIN 16
GND = PIN 8
FAST AND LS TTL DATA
5-597

SN54LS670相似产品对比

SN54LS670 74LS670 SN74LS670D
描述 4 X 4 STANDARD SRAM, 45 ns, PDIP16 4 X 4 STANDARD SRAM, 45 ns, PDIP16 4 X 4 STANDARD SRAM, 45 ns, PDIP16
功能数量 1 1 1
端子数量 16 16 16
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
内存宽度 4 4 4
组织 4 X 4 4 X 4 4X4
最大工作温度 70 Cel 70 Cel -
最小工作温度 0.0 Cel 0.0 Cel -
最大供电/工作电压 5.25 V 5.25 V -
最小供电/工作电压 4.75 V 4.75 V -
额定供电电压 5 V 5 V -
最大存取时间 45 ns 45 ns -
加工封装描述 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-001, DIP-16 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-001, DIP-16 -
无铅 Yes Yes -
欧盟RoHS规范 Yes Yes -
中国RoHS规范 Yes Yes -
状态 ACTIVE ACTIVE -
工艺 TTL TTL -
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
包装尺寸 IN-LINE IN-LINE -
端子间距 2.54 mm 2.54 mm -
端子涂层 NICKEL PALLADIUM GOLD NICKEL PALLADIUM GOLD -
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
存储密度 16 deg 16 deg -
操作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS -
位数 4 4 -
内存IC类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM -
串行并行 PARALLEL PARALLEL -

 
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