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IS42S16100F-6BLA1

产品描述Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共86页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
标准
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IS42S16100F-6BLA1概述

Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60

IS42S16100F-6BLA1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间5.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B60
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
端子数量60
字数1048576 words
字数代码1000000
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA60,7X15,25
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.12 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.635 mm
端子位置BOTTOM
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