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FM24C256

产品描述SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO8
产品类别存储   
文件大小92KB,共13页
制造商ETC1
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FM24C256概述

SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO8

专用存储器电路, PDSO8

FM24C256规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量8
最大工作温度85 Cel
最小工作温度-40 Cel
最大供电/工作电压5.5 V
最小供电/工作电压4.5 V
额定供电电压5 V
加工封装描述EIAJ, SOP-8
状态DISCONTINUED
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子间距1.27 mm
端子涂层锡 铅
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
温度等级INDUSTRIAL
内存宽度8
组织32K × 8
存储密度262144 deg
操作模式同步
位数32768 words
位数32K
内存IC类型内存 电路

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FM24C256
256Kb FRAM Serial Memory
Features
256Kbit Ferroelectric Nonvolatile RAM
Organized as 32,768 x 8 bits
High Endurance 10 Billion (10
10
) Read/Writes
10 year Data Retention
NoDelay™ Writes
Advanced High-Reliability Ferroelectric Process
Fast Two-wire Serial Interface
Up to 1 MHz Maximum Bus Frequency
Supports Legacy Timing for 100 kHz & 400 kHz
Low Power Operation
5V Operation
200
µA
Active Current (100 kHz)
100
µA
Standby Current
Industry Standard Configuration
Industrial Temperature -40° C to +85° C
8-pin EIAJ SOIC
Description
The FM24C256 is a 256-kilobit nonvolatile memory
employing an advanced ferroelectric process. A
ferroelectric random access memory or FRAM is
nonvolatile and performs reads and writes like a
RAM. It provides reliable data retention for 10 years
while eliminating the complexities, overhead, and
system level reliability problems caused by
EEPROM and other nonvolatile memories.
The FM24C256 performs write operations at bus
speed. No write delays are incurred. The next bus
cycle may commence immediately without the need
for data polling. In addition, the product offers write
endurance orders of magnitude higher than
EEPROM. Also, FRAM exhibits much lower power
during writes than EEPROM since write operations
do not require an internally elevated power supply
voltage for write circuits.
These capabilities make the FM24C256 ideal for
nonvolatile memory applications requiring frequent
or rapid writes. Examples range from data collection
where the number of write cycles may be critical, to
demanding industrial controls where the long write
time of EEPROM can cause data loss. The
combination of features allows more frequent data
writing with less overhead for the system.
The FM24C256 is available in a 8-pin EIAJ SOIC
package using an industry standard two-wire
protocol. Specifications are guaranteed over an
industrial temperature range of -40°C to +85°C.
Pin Configuration
A0
A1
A2
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
WP
SCL
SDA
Pin Names
A0-A2
SDA
SCL
WP
VSS
VDD
Function
Device Select Address
Serial Data/Address
Serial Clock
Write Protect
Ground
Supply Voltage 5V
Ordering Information
FM24C256-SE
8-pin EIAJ SOIC
NOTE: Top side part marking is “FM24C256-S”
whereas “FM24C256-SE” is used only for ordering.
This product conforms specifications per the terms of the Ramtron
standard warranty. Production processing does not necessarily
include testing of all parameters.
Rev 1.3
Feb. 2004
Ramtron International Corporation
1850 Ramtron Drive, Colorado Springs, CO 80921
(800) 545-FRAM, (719) 481-7000, Fax (719) 481-7058
www.ramtron.com
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FM24C256相似产品对比

FM24C256 FM24C256-SE
描述 SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO8 SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO8
功能数量 1 1
端子数量 8 8
最大工作温度 85 Cel 85 Cel
最小工作温度 -40 Cel -40 Cel
最大供电/工作电压 5.5 V 5.5 V
最小供电/工作电压 4.5 V 4.5 V
额定供电电压 5 V 5 V
加工封装描述 EIAJ, SOP-8 EIAJ, SOP-8
状态 DISCONTINUED DISCONTINUED
包装形状 矩形的 矩形的
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
表面贴装 Yes Yes
端子形式 GULL WING GULL WING
端子间距 1.27 mm 1.27 mm
端子涂层 锡 铅 锡 铅
端子位置
包装材料 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
内存宽度 8 8
组织 32K × 8 32K × 8
存储密度 262144 deg 262144 deg
操作模式 同步 同步
内存IC类型 内存 电路 内存 电路
位数 32K 32K
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