3300 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
3300 mA, 100 V, N沟道, 硅, 小信号, 场效应管
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Fairchild Semiconduc |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Fairchild |
| Objectid | 1019521600 |
| 零件包装代码 | SOT-223 |
| 包装说明 | ROHS COMPLIANT PACKAGE-4 |
| 针数 | 4 |
| 制造商包装代码 | MOLDED PACKAGE, SOT-223, 4 LEAD |
| Reach Compliance Code | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| compound_id | 5370248 |
| Samacsys Descripti | FDT86113LZ, N-channel MOSFET Transistor, 3.3 A 100 V, 4-Pin SOT-223 |
| 其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 3.3 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 3.3 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.1 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 5 pF |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2.2 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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