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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MCM6292J35R2
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MCM6292J35R2

产品描述Cache Tag SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
产品类别存储    存储   
文件大小659KB，共10页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MCM6292J35R2概述

Cache Tag SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28

MCM6292J35R2规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明SOJ, SOJ28,.44
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间35 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDSO-J28
JESD-609代码e0
长度18.42 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型CACHE TAG SRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数16384 words
字数代码16000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16KX4
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ28,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.75 mm
最大待机电流0.055 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm

MCM6292J35R2相似产品对比

MCM6292J35R2 0521160242_17 MCM6292J25 MCM6292P25 MCM6292P35 MCM6292J35
描述 Cache Tag SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 Mizu-P25 5.00mm Pitch Waterproof Wire-to-Wire Plug Housing , 2 Circuits Cache Tag SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 Cache Tag SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 Cache Tag SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 Cache Tag SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 SOJ, SOJ28,.44 - SOJ, SOJ28,.44 DIP, DIP28,.3 DIP, DIP28,.3 SOJ, SOJ28,.44
Reach Compliance Code unknown - unknown unknow unknow unknown
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 35 ns - 25 ns 25 ns 35 ns 35 ns
I/O 类型 SEPARATE - SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-PDSO-J28 - R-PDSO-J28 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28 R-PDSO-J28
JESD-609代码 e0 - e0 e0 e0 e0
长度 18.42 mm - 18.42 mm 34.23 mm 34.23 mm 18.42 mm
内存密度 65536 bit - 65536 bit 65536 bi 65536 bi 65536 bit
内存集成电路类型 CACHE TAG SRAM - CACHE TAG SRAM CACHE TAG SRAM CACHE TAG SRAM CACHE TAG SRAM
内存宽度 4 - 4 4 4 4
功能数量 1 - 1 1 1 1
端口数量 1 - 1 1 1 1
端子数量 28 - 28 28 28 28
字数 16384 words - 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words
字数代码 16000 - 16000 16000 16000 16000
工作模式 SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C - 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 16KX4 - 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4
输出特性 3-STATE - 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 NO - NO NO NO NO
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ - SOJ DIP DIP SOJ
封装等效代码 SOJ28,.44 - SOJ28,.44 DIP28,.3 DIP28,.3 SOJ28,.44
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL - PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V - 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.75 mm - 3.75 mm 4.318 mm 4.318 mm 3.75 mm
最大待机电流 0.055 A - 0.055 A 0.055 A 0.055 A 0.055 A
最小待机电流 4.5 V - 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.14 mA - 0.14 mA 0.14 mA 0.14 mA 0.14 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V - 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V - 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V - 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES - YES NO NO YES
技术 CMOS - CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND - J BEND THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE J BEND
端子节距 1.27 mm - 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL - DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 10.16 mm - 10.16 mm 7.62 mm 7.62 mm 10.16 mm

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