V59C1G01808QCLJ3H,V59C1G01808QCLJ3H pdf中文资料,V59C1G01808QCLJ3H引脚图,V59C1G01808QCLJ3H电路-Datasheet-电子工程世界

V59C1G01808QCLJ3H: 产品描述DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, GREEN, MO-207, FBGA-60; 产品类别存储存储; 文件大小2MB，共75页; 制造商ProMOS Technologies Inc

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V59C1G01808QCLJ3H概述

DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, GREEN, MO-207, FBGA-60

参数名称	属性值
零件包装代码	DSBGA
包装说明	TFBGA, BGA60,9X11,32
针数	60
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.45 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	333 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B60
长度	10 mm
内存密度	1073741824 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	60
字数	134217728 words
字数代码	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS
组织	128MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA60,9X11,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	4,8
最大压摆率	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	8 mm

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