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BY298

产品描述2 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小641KB,共2页
制造商TAYCHIPST
官网地址http://www.taychipst.com
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BY298概述

2 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15

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BY296 THRU BY299
100V-800V
FAST RECOVERY RECTIFIERS
2.0A
FEATURES :
*
*
*
*
*
*
High current capability
High surge current capability
High reliability
Low reverse current
Low forward voltage drop
Fast switching for high efficiency
MECHANICAL DATA :
* Case : DO-201AD Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,
Method 208 guaranteed
* Polarity : Color band denotes cathode end
* Mounting position : Any
* Weight : 1.16 grams
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
RATING
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current
0.375"(9.5mm) Lead Length
Ta = 50
°C
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
BY296
100
70
100
BY297
200
140
200
2.0
BY298
400
280
400
BY299
800
560
800
UNIT
V
V
V
A
Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single half sine wave
Superimposed on rated load (JEDEC Method)
Maximum Peak Forward Voltage at I
F
= 2.0 Amps.
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Ta = 25
°C
Ta = 100
°C
I
FSM
V
F
I
R
I
R(H)
Trr
C
J
T
J
T
STG
70
1.3
10
500
250
28
- 50 to + 125
- 50 to + 150
A
V
µA
µA
ns
pf
°C
°C
Maximum Reverse Recovery Time ( Note 1 )
Typical Junction Capacitance ( Note 2 )
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Notes :
( 1 ) Reverse Recovery Test Conditions : I
F
= 0.5 A, I
R
= 1.0 A, Irr = 0.25 A.
( 2 ) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V
DC
E-mail: sales@taychipst.com
1 of 2
Web Site: www.taychipst.com

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