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BY253P

产品描述3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小65KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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BY253P概述

3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

BY253P规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流3 A
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装NO
Base Number Matches1

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BY251P thru BY255P
Vishay General Semiconductor
General Purpose Plastic Rectifier
FEATURES
• Low forward voltage drop
• Low leakage current, I
R
less than 0.1 μA
• High forward surge capability
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC
DO-201AD
TYPICAL APPLICATIONS
For use in general purpose rectification of power supplies,
inverters, converters and freewheeling diodes application.
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
I
R
V
F
T
J
max.
3.0 A
200 V to 1300 V
150 A
5.0 μA
1.1 V
150 °C
Note
• These devices are not AEC-Q101 qualified.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-201AD, molded epoxy body
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test
Polarity:
Color band denotes cathode end
per
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
10 mm lead length
Peak forward surge current 10 ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Maximum full load reverse current, full cycle average
10 mm lead length
Operating junction and storage temperature range
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
I
R(AV)
T
J
, T
STG
BY251P
200
140
200
BY252P
400
280
400
BY253P
600
420
600
3.0
150
100
- 55 to + 150
BY254P
800
560
800
BY255P
1300
910
1300
UNIT
V
V
V
A
A
μA
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum instantaneous
forward voltage
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
Maximum reverse
recovery time
Typical junction capacitance
Document Number: 88838
Revision: 04-Nov-09
TEST CONDITIONS
3.0 A
T
A
= 25 °C
I
F
= 0.5 A, I
R
= 1.0 V,
I
rr
= 0.25 A
4.0 V, 1 MHz
SYMBOL
V
F
I
R
t
rr
C
J
BY251P
BY252P
BY253P
1.1
5.0
3.0
40
BY254P
BY255P
UNIT
V
μA
μs
pF
www.vishay.com
1
For technical questions within your region, please contact one of the following:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

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BY253P BY251P_09 BY252P BY254P
描述 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合
厂商名称 Vishay(威世) - Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code unknown - unknow unknown
配置 SINGLE - SINGLE SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V - 1.1 V 1.1 V
最大非重复峰值正向电流 150 A - 150 A 150 A
元件数量 1 - 1 1
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C
最大输出电流 3 A - 3 A 3 A
最大重复峰值反向电压 600 V - 400 V 800 V
表面贴装 NO - NO NO

 
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