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BY252

产品描述3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小115KB,共2页
制造商辰颐电子
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BY252概述

3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

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BY251 thru BY255
MEDIUM CURRENT PLASTIC RECTIFIER
CHENG- YI
ELECTRONIC
VOLTAGE RANGE-200 TO 1300 Volts
CURRENT -3.0 Amperes
DO-201AD
FEATURE
High surge current capability
Plastic package has underwriters laboratory
Flammability classification 94V-O
Low leakage
Void-free molded in DO-201AD plastic
package
High current operation of 3 Amperse
at TA=95
0
C with no thermal runaway
Exceeds enviromental standard of MIL-STD-
19500/228
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC D0-201AD molded plastic
Trminals:plated axials leads ,solderable per
MIL-STD-750, Method 2026
Polarity:Color band denotes cathode
Weight:0.04 ounce, 1.1gram
Mounting Position:Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
0
C ambient temperature unless otherwise specified.
60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
BY251
BY252
400
280
400
BY253
600
420
600
3.0
BY254
800
560
800
BY255
1300
910
1300
UNITS
V
V
V
A
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
.375", (9.5mm) lead lengths at
T A=95 C
0
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
200
140
200
Peak Forward Surge Current
8.3 ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage
TJ =25 C
at 3.0A
T J =100 C
0
0
I
FSM
100.0
A
V
F
I
R
1.1
1.0
5.0
500
28.0
2.5
15.0
-55 to +150
0
V
Maximum DC Reverse Current
TA=25 C
at Rated DC Blocking Voltage
TA =100 C
0
0
Typical Junction Capacitance (Note 2)
TJ =25 C
0
C
J
T
RR
T JA
T
J
pF
Typical Reverse Recovery Time (Note 3)
Typical Thermal Resistance (Note1)
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
C/W
0
C
C
-55 to +150
T
STG
Notes : 1. Thermal Resistance from Junction to applied at ambient .375" (9.5mm) lead lengths, P.C. Board mounted.
2. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts.
3. Reverse Recovery Test Conditions : I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, Irr=0.25A.
0

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描述 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
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