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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> BY133G
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BY133G

产品描述1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小196KB，共2页
制造商SEMTECH_ELEC
官网地址http://www.semtech.net.cn
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BY133G概述

1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

1 A, 600 V, 硅, 信号二极管, DO-41

BY133G规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述GREEN, PLASTIC PACKAGE-2
状态ACTIVE
包装形状ROUND
包装尺寸LONG FORM
端子形式WIRE
端子涂层PURE TIN
端子位置AXIAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE
壳体连接ISOLATED
二极管元件材料SILICON
二极管类型SIGNAL DIODE
最大重复峰值反向电压600 V
最大平均正向电流1 A

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1N4001G THRU 1N4007G, BY133G
GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER
Reverse Voltage – 50 to 1300 Volts
Forward Current – 1.0 Ampere
DO-41
0.7-0.9
Features
•
Low forward voltage drop
•
High Surge current capability
2-2.7
Min 25.4
4.2-5.2
Min 25.4
Mechanical Data
•
Case:
Molded plastic, DO-41
•
Lead:
Axial leads, solderable per MIL-STD-202,
method 208 guaranteed
•
Polarity:
Color band denotes cathode end
•
Mounting Position:
Any
Dimensions in mm
Absolute Maximum Ratings and Characteristics
Rating at 25
O
C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60Hz, resistive or
inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.
Parameter
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
0.375" (9.5mm) Lead Length at T
A
= 75
O
C
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single
half sine-wave Superimposed on rated load
(JEDEC Method)
Maximum forward Voltage at 1A DC and 25
O
C
Maximum Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Junction Capacitance
1)
Typical Thermal Resistance
2)
Typical Thermal Resistance
2)
Operating and Storage Temperature range
1)
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
1N
1N
1N
1N
1N
1N
1N
BY
4001G 4002G 4003G 4004G 4005G 4006G 4007G 133G
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
1300
910
1300
Unit
V
V
V
A
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θJA
R
θJL
T
J
,T
stg
30
1.1
5
50
15
50
25
-55 to +150
O
A
V
µA
pF
C/W
C/W
O
T
A
= 25
O
C
T
A
= 100
O
C
O
C
Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4 volts.
Thermal resistance from junction to ambient at 0.375"(9.5mm) lead length P.C.B. mounted.
2)
SEMTECH ELECTRONICS LTD.
®
(Subsidiary
of Sino-Tech International Holdings Limited, a company
listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)
Dated : 07/12/2005 H

BY133G相似产品对比

BY133G 1N4005G 1N4006G 1N4007G
描述 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
端子数量 2 2 - 2
元件数量 1 1 - 1
加工封装描述 GREEN, PLASTIC PACKAGE-2 GREEN, PLASTIC PACKAGE-2 - 塑料 PACKAGE-2
状态 ACTIVE ACTIVE - ACTIVE
包装形状 ROUND ROUND - 圆
包装尺寸 LONG FORM LONG FORM - LONG FORM
端子形式 WIRE WIRE - 线
端子位置 AXIAL AXIAL - AXIAL
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - 塑料/环氧树脂
结构 SINGLE SINGLE - 单一的
壳体连接 ISOLATED ISOLATED - 隔离
二极管元件材料 SILICON SILICON - 硅
二极管类型 SIGNAL DIODE SIGNAL DIODE - 信号二极管
最大重复峰值反向电压 600 V 600 V - 1000 V
最大平均正向电流 1 A 1 A - 1 A

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器件捷径:   A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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