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BYW75

产品描述3 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小174KB,共3页
制造商LGE
官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html
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BYW75概述

3 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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BYW72-BYW76
Fast Recovery Rectifiers
VOLTAGE RANGE: 200 --- 600 V
CURRENT: 3.0 A
Features
Low cost
Diffused junction
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Easily cleaned with Freon,Alcohol,Isopropanol
and similar solvents
The plastic material carries U/L recognition 94V-0
DO - 27
Mechanical Data
Case:JEDEC DO-27,molded plastic
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.041 ounces,1.15 grams
Mounting position: Any
Dimensions in millimeters
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
BYW72
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
BYW73
300
210
300
BYW74
400
280
400
3.0
BYW75
500
350
500
BYW76
600
420
600
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
200
140
200
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
200.0
A
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 3.0 A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25
@T
A
=100
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
1.1
10.0
100.0
200
32
22
- 55---- +150
- 55---- +150
V
A
ns
pF
/W
Maximum reverse recovery time (Note1)
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
(Note2)
(Note3)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE: 1. Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.
3. Thermal resistance f rom junction to ambient.
http://www.luguang.cn
mail:lge@luguang.cn

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描述 3 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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