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3N60L-TM3-R

产品描述3A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小386KB,共8页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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3N60L-TM3-R概述

3A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

3N60L-TM3-R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码TO-251
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
雪崩能效等级(Eas)200 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3 A
最大漏极电流 (ID)3 A
最大漏源导通电阻3.6 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-251
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)12 A
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

3N60L-TM3-R相似产品对比

3N60L-TM3-R 3N60G-TM3-R
描述 3A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 3A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码 TO-251 TO-251
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code compli compli
雪崩能效等级(Eas) 200 mJ 200 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V 600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 3 A 3 A
最大漏极电流 (ID) 3 A 3 A
最大漏源导通电阻 3.6 Ω 3.6 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-251 TO-251
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 50 W 50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 12 A 12 A
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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