3A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD |
零件包装代码 | TO-251 |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compli |
雪崩能效等级(Eas) | 200 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 3 A |
最大漏极电流 (ID) | 3 A |
最大漏源导通电阻 | 3.6 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-251 |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 50 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 12 A |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
3N60L-TM3-R | 3N60G-TM3-R | |
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描述 | 3A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET | 3A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD |
零件包装代码 | TO-251 | TO-251 |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | compli | compli |
雪崩能效等级(Eas) | 200 mJ | 200 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 600 V | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 3 A | 3 A |
最大漏极电流 (ID) | 3 A | 3 A |
最大漏源导通电阻 | 3.6 Ω | 3.6 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-251 | TO-251 |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSIP-T3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 50 W | 50 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 12 A | 12 A |
表面贴装 | NO | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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