FIFO 512 x 18 synchronous FIFO memory
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | SSOP |
| 包装说明 | SSOP, SSOP56,.4 |
| 针数 | 56 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week |
| 最长访问时间 | 13 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 50 MHz |
| 周期时间 | 20 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G56 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 18.415 mm |
| 内存密度 | 9216 bit |
| 内存集成电路类型 | OTHER FIFO |
| 内存宽度 | 18 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 56 |
| 字数 | 512 words |
| 字数代码 | 512 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 512X18 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SSOP |
| 封装等效代码 | SSOP56,.4 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.79 mm |
| 最大待机电流 | 0.0004 A |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.635 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.5 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| SN74ACT7803-20DL | SN74ACT7803-25DL | SN74ACT7803-15DL | |
|---|---|---|---|
| 描述 | FIFO 512 x 18 synchronous FIFO memory | 512 x 18 synchronous FIFO memory 56-SSOP 0 to 70 | 512 x 18 synchronous FIFO memory 56-SSOP 0 to 70 |
| Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | SSOP | SSOP | SSOP |
| 包装说明 | SSOP, SSOP56,.4 | SSOP, SSOP56,.4 | SSOP, SSOP56,.4 |
| 针数 | 56 | 56 | 56 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week | 1 week | 1 week |
| 最长访问时间 | 13 ns | 15 ns | 12 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 50 MHz | 40 MHz | 67 MHz |
| 周期时间 | 20 ns | 25 ns | 15 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G56 | R-PDSO-G56 | R-PDSO-G56 |
| JESD-609代码 | e4 | e4 | e4 |
| 长度 | 18.415 mm | 18.41 mm | 18.41 mm |
| 内存密度 | 9216 bit | 9216 bit | 9216 bit |
| 内存集成电路类型 | OTHER FIFO | OTHER FIFO | OTHER FIFO |
| 内存宽度 | 18 | 18 | 18 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 56 | 56 | 56 |
| 字数 | 512 words | 512 words | 512 words |
| 字数代码 | 512 | 512 | 512 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 512X18 | 512X18 | 512X18 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 可输出 | YES | YES | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SSOP | SSOP | SSOP |
| 封装等效代码 | SSOP56,.4 | SSOP56,.4 | SSOP56,.4 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | 260 |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.79 mm | 2.79 mm | 2.79 mm |
| 最大待机电流 | 0.0004 A | 0.0004 A | 0.0004 A |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 0.635 mm | 0.635 mm | 0.635 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.5 mm | 7.49 mm | 7.49 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
| 最大压摆率 | - | 0.0004 mA | 0.0004 mA |
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