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6N40G-TA3-T

产品描述6A, 400V N-CHANNEL POWER MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小182KB,共6页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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6N40G-TA3-T概述

6A, 400V N-CHANNEL POWER MOSFET

6N40G-TA3-T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
Objectid1052532027
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
compound_id11887016
雪崩能效等级(Eas)270 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)6 A
最大漏极电流 (ID)6 A
最大漏源导通电阻1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)73 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)24 A
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
6N40
Preliminary
Power MOSFET
6A, 400V N-CHANNEL
POWER MOSFET
DESCRIPTION
The UTC
6N40
is an N-Channel enhancement mode power
MOSFET using UTC’s perfect planar stripe, DMOS technology to
provide customers with superior switching performance and
minimum on-state resistance. It also can withstand high energy
pulse in the avalanche and commutation mode.
The UTC
6N40
is generally used in applications , such as
electronic lamp ballasts based on half bridge topology and high
efficiency switched mode power supplies.
1
TO-252
1
TO-220
FEATURES
* R
DS(ON)
=1.0Ω @ V
GS
=10V
* Fast switching speed
* Improved dv/dt capability
1
TO-220F
SYMBOL
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Package
Lead Free
Halogen Free
6N40L-TA3-T
6N40G-TA3-T
TO-220
6N40L-TF3-T
6N40G-TF3-T
TO-220F
6N40L-TN3-R
6N40G-TN3-R
TO-252
Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain S: Source
1
G
G
G
Pin Assignment
2
D
D
D
3
S
S
S
Packing
Tube
Tube
Tape Reel
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2011 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 6
QW-R502-487.d

6N40G-TA3-T相似产品对比

6N40G-TA3-T 6N40L-TN3-R 6N40L-TA3-T 6N40G-TN3-R 6N40_15
描述 6A, 400V N-CHANNEL POWER MOSFET 6A, 400V N-CHANNEL POWER MOSFET 6A, 400V N-CHANNEL POWER MOSFET 6A, 400V N-CHANNEL POWER MOSFET N-CHANNEL MOSFET ARRAY FOR SWITCHING
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 -
厂商名称 UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD -
零件包装代码 TO-220AB TO-252 TO-220AB TO-252 -
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 -
针数 3 4 3 4 -
Reach Compliance Code compli compli compli compli -
雪崩能效等级(Eas) 270 mJ 270 mJ 270 mJ 270 mJ -
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE -
最小漏源击穿电压 400 V 400 V 400 V 400 V -
最大漏极电流 (Abs) (ID) 6 A 6 A 6 A 6 A -
最大漏极电流 (ID) 6 A 6 A 6 A 6 A -
最大漏源导通电阻 1 Ω 1 Ω 1 Ω 1 Ω -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR -
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-252 TO-220AB TO-252 -
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2 -
元件数量 1 1 1 1 -
端子数量 3 2 3 2 -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE -
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL -
最大功率耗散 (Abs) 73 W 62.5 W 73 W 62.5 W -
最大脉冲漏极电流 (IDM) 24 A 24 A 24 A 24 A -
表面贴装 NO YES NO YES -
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING -
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON -
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