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1N4148

产品描述0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小126KB,共2页
制造商DACHANG
官网地址http://www.dachang.com.cn
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1N4148概述

0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

0.2 A, 硅, 信号二极管, DO-35

1N4148规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述HERMETIC SEALED, 玻璃 PACKAGE-2
状态TRANSFERRED
包装形状
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层锡 铅
端子位置
包装材料玻璃
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
最大功耗极限0.5000 W
二极管类型信号二极管
反向恢复时间最大0.0040 us
最大平均正向电流0.2000 A

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SIYU
R
DO-34 Glass
DO-35 Glass
1N4148
开关二极管
Switching Diodes
特征 Features
·反向漏电流小。Low
reverse leakage
·开关速度快。Fast
switching speed
·最大功率耗散500mW。Maximum
power dissipation 500mW
·高稳定性和可靠性。High
stability and high reliability
·引线和管½皆符合RoHS标准 。
Lead and body according with RoHS standard
机械数据
Mechanical Data
封装: 玻璃封装
Unit:mm
Unit:mm
Case: Glass Case
极性: 色环端为负极
Polarity: Color band denotes cathode end
安装½½: 任意
Mounting Position: Any
极限值和温度特性
TA = 25℃
除非另有规定。
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
符号
Symbols
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
1N4148
单½
Unit
不重复峰值反向电压
Non-repetitive Peak Reverse Voltage
V
RM
V
RRM
I
FM
I
O
I
FSM
Pd
R
θJA
Tj, T
STG
100
75
300
150
2.0
500
300
-55 --- +150
V
V
mA
mA
A
mW
℃/W
反向峰值电压
peak repetitive Reverse Voltage
最大正向平均电流
Forward Continuous Current
平均整流输出电流
Average Rectified Output Current
正向(不重复)浪涌电流
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
功率消耗
Power Dissipation
典型热阻
Type Thermal Resistance
工½结温和存储温度
Operating junction and storage temperature range
电特性
TA = 25℃
除非另有规定。
Electrical Characteristics
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
符号
Symbols
最小值
MIN.
最大值
MAX.
单½
Unit
测试条件
Test Condition
正向电压
Forward voltage
V
FM
---
1.0
5.0
50
30
25
4.0
4.0
V
μA
μA
μA
nA
pF
nS
I
F
=10mA
V
R
= 75V
V
R
= 70V, Tj=150℃
V
R
= 20V, Tj=150℃
V
R
= 20V
V
R
= 0, f = 1.0MHz
I
F
= 10mA
I
R
= 1.0mA
V
R
= 6.0V, R
L
=100Ω
反向电流
Reverse current
I
RM
Cj
trr
---
---
---
结电容
Junction capacitance
Reverse Recovery Time
反向恢复时间
大昌电子
DACHANG ELECTRONICS

 
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