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1N4005

产品描述1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小32KB,共2页
制造商HY Electronic
官网地址http://www.hygroup.com.tw
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1N4005概述

1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

1 A, 600 V, 硅, 信号二极管, DO-41

1N4005规格参数

参数名称属性值
厂商名称HY Electronic
包装说明PLASTIC PACKAGE-2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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1N4001 thru 1N4007
PLASTIC SILICON RECTIFIERS
REVERSE VOLTAGE
- 50
to
1000
Volts
FORWARD CURRENT
- 1.0
Amperes
DO- 41
FEATURES
Low cost
Diffused junction
Low forward voltage drop
Low reverse leakage current
High current capability
The plastic material carries UL recognition 94V-0
1.0(25.4)
MIN.
.034(0.9)
DIA
.028(0.7)
.205(5.2)
MAX
.107(2.7)
DIA
.080(2.0)
1.0(25.4)
MIN.
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-41 molded plastic
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.012 ounces , 0.34 grams
Mounting position :Any
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
Peak Forward Surge Current
8.3ms Single Half Sine-Wave
Super Imposed On Rated Load (JEDEC Method)
Maximum Forward Voltage at 1.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Junction Capacitance (Note1)
Typical Thermal Resistance (Note2)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
@T
J
=25℃
@T
J
=100℃
@T
A
=75
SYMBOL 1N4001
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
50
35
50
1N4002
100
70
100
1N4003
200
140
200
1N4004
400
280
400
1.0
1N4005
600
420
600
1N4006
800
560
800
1N4007
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θJC
T
J
T
STG
30
1.1
5.0
50
15
26
-55 to +125
-55 to +125
A
V
uA
pF
℃/W
NOTE:1.Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2.Thermal resistance junction of ambient
~3~

1N4005相似产品对比

1N4005 1N4007 1N4006
描述 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
厂商名称 HY Electronic HY Electronic HY Electronic
包装说明 PLASTIC PACKAGE-2 PLASTIC PACKAGE-2 PLASTIC PACKAGE-2
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-41 DO-41 DO-41
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 600 V 1000 V 800 V
表面贴装 NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V -
最大非重复峰值正向电流 30 A 30 A -
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